公开(公告)号：CN118112895A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202311136898.0

申请日：2023-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑殷憙 ,  金桢吉

IPC: G03F7/20

Abstract: 公开了EUV光均匀性控制设备、EUV曝光装备和EUV光均匀性控制方法。所述极紫外(EUV)光均匀性控制设备包括：多个纳米薄膜，每个纳米薄膜具有沿作为EUV曝光装备的扫描方向的第一方向延伸的带状，并且沿与第一方向垂直的第二方向线性地布置在EUV曝光装备的掩膜版下方。所述设备还包括：薄膜托架，在第一方向上的两侧上固定所述多个纳米薄膜；以及薄膜控制装置，连接到薄膜托架并控制所述多个纳米薄膜。来自EUV曝光装备的EUV光在通过入射到掩膜版并从掩膜版反射而穿过所述多个纳米薄膜两次之后被投射到作为曝光目标的晶圆上，并且投射在晶圆上的EUV光通过使用薄膜控制装置被均匀地调节。

公开(公告)号：CN115931890A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211189779.7

申请日：2022-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟彬 ,  金桢吉 ,  松田阳三 ,  李东协 ,  D·郑 ,  郑有轸 ,  郑殷憙 ,  朱愿暾 ,  崔珉硕

IPC: G01N21/94 ,  G01N21/01 ,  G01N21/55 ,  G03F7/20

Abstract: 一种极紫外(EUV)收集器检查设备，包括：挡光盖，其覆盖待检查的EUV收集器的前表面并且提供其中外部光被阻挡的空间部分；空间部分中的光源，光源具有沿着EUV收集器的中心轴延伸的柱形，光源被配置为输出在紫外(UV)波段至可见光(VIS)波段范围内的辐射光；以及光谱仪，其位于光源上方并且被配置为检测辐射光从EUV收集器的前表面反射的反射光的光谱。设备或与其关联的控制器可被配置为基于反射光的光谱检查EUV收集器的前表面的污染状态。