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公开(公告)号：CN119864347A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202410740004.7
申请日：2024-06-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/64
Abstract: 一种半导体器件包括：电容器结构，所述电容器结构包括：底电极；第一电介质层，所述第一电介质层位于所述底电极上；第二电介质层，所述第二电介质层位于所述第一电介质层上；第三电介质层，所述第三电介质层位于所述第二电介质层上；以及顶电极，所述顶电极位于所述第三电介质层上，其中所述第一电介质层和所述第三电介质层中的每一者包括氧化锆，所述第二电介质层包括氧化铪锆，并且所述第一电介质层、所述第二电介质层和所述第三电介质层中的每一者包括第一晶相和第二晶相。
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公开(公告)号：CN118610197A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410235952.5
申请日：2024-03-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了电容器结构和包括电容器结构的半导体器件。所述电容器结构包括：下电极，所述下电极位于衬底上；支撑层，所述支撑层位于所述下电极的侧壁上，并且包括绝缘材料；界面结构，所述界面结构具有第一界面图案和第二界面图案，所述第一界面图案位于所述下电极的侧壁上，并且包括第一金属，所述第二界面图案包括位于所述第一界面图案的外侧壁上的第一部分和位于所述支撑层的表面上的第二部分，并且包括第二金属的氧化物；电介质图案，所述电介质图案位于所述界面结构上；以及上电极，所述上电极位于所述电介质图案上，其中所述第二界面图案的所述第二部分还包括所述第一金属。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113130750A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202011517369.1
申请日：2020-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L49/02 , H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 公开了电容器结构及其形成方法以及半导体装置及其制造方法。所述电容器结构可以包括位于基底上的下电极、位于基底上的介电层以及位于介电层上的上电极。下电极可以包括具有化学式M1Ny(M1是第一金属，y是正实数)的金属氮化物。介电层可以包括金属氧化物和氮(N)，金属氧化物具有化学式M2Ox(M2是第二金属，x是正实数)。介电层中的氮(N)的检测量的最大值可以比下电极中的氮(N)的检测量的最大值大。
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公开(公告)号：CN107464807B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201710407365.X
申请日：2017-06-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件，包括衬底上的下电极、在下电极上的电容器介电层和在电容器介电层上的上电极。电容器介电层包括在下电极上的基础层和在基础层的至少一部分中的电介质颗粒层。基础层包括第一电介质材料，电介质颗粒层沿电容器介电层的厚度方向至少部分连续地延伸并且包括不同于第一电介质材料的第二电介质材料。
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公开(公告)号：CN107464807A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710407365.X
申请日：2017-06-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件，包括衬底上的下电极、在下电极上的电容器介电层和在电容器介电层上的上电极。电容器介电层包括在下电极上的基础层和在基础层的至少一部分中的电介质颗粒层。基础层包括第一电介质材料，电介质颗粒层沿电容器介电层的厚度方向至少部分连续地延伸并且包括不同于第一电介质材料的第二电介质材料。
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