公开(公告)号：CN104733468B

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201510134332.3

申请日：2011-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗宗勋 ,  朴泳雨 ,  郭东华 ,  金泰瑢 ,  韩智勋 ,  柳璋铉 ,  李东植 ,  朴秀振

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L27/0207 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11524

Abstract: 一种制造非易失性存储器装置的方法，包括：提供衬底，其具有由多个沟槽限定的有源区；在具有多个沟槽的衬底上形成第一隔离层；在第一隔离层上形成牺牲层以填充沟槽，该牺牲层包括填充沟槽的下部的第一区以及填充除下部之外的部分的第二区；移除牺牲层的第二区；在第一隔离层和牺牲层的第一区上形成第二隔离层；通过移除牺牲层的第一区而在沟槽中形成空气间隙；以及在维持该空气间隙的同时移除第一隔离层的一部分和第二隔离层的一部分。

公开(公告)号：CN104733468A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201510134332.3

申请日：2011-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗宗勋 ,  朴泳雨 ,  郭东华 ,  金泰瑢 ,  韩智勋 ,  柳璋铉 ,  李东植 ,  朴秀振

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L27/0207 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11524

Abstract: 一种制造非易失性存储器装置的方法，包括：提供衬底，其具有由多个沟槽限定的有源区；在具有多个沟槽的衬底上形成第一隔离层；在第一隔离层上形成牺牲层以填充沟槽，该牺牲层包括填充沟槽的下部的第一区以及填充除下部之外的部分的第二区；移除牺牲层的第二区；在第一隔离层和牺牲层的第一区上形成第二隔离层；通过移除牺牲层的第一区而在沟槽中形成空气间隙；以及在维持该空气间隙的同时移除第一隔离层的一部分和第二隔离层的一部分。

公开(公告)号：CN102299137B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201110176544.X

申请日：2011-06-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳璋铉 ,  李钟旻 ,  朴泳雨 ,  郭东华 ,  金泰瑢 ,  韩智勋 ,  罗宗勋 ,  李东植

IPC: H01L23/528 ,  H01L27/02 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76229 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11536 ,  H01L29/66825

Abstract: 一种半导体器件，包括第一、第二和第三导电线，每一个均具有在衬底上形成并沿着第一方向延伸的各自的线部分，并且具有从所述各自的线部分的端部沿着不同于第一方向的方向延伸的各自的分支部分。中间导电线的分支部分被置于外部导电线的各自的分支部分之间，并且比外部导电线的各自的分支部分短，从而接触焊盘可以和导电线的这些分支部分整体形成。

公开(公告)号：CN102468241A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201110361877.X

申请日：2011-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗宗勋 ,  朴泳雨 ,  郭东华 ,  金泰瑢 ,  韩智勋 ,  柳璋铉 ,  李东植 ,  朴秀振

IPC: H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/0207 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11524

Abstract: 一种制造非易失性存储器装置的方法，包括：提供衬底，其具有由多个沟槽限定的有源区；在具有多个沟槽的衬底上形成第一隔离层；在第一隔离层上形成牺牲层以填充沟槽，该牺牲层包括填充沟槽的下部的第一区以及填充除下部之外的部分的第二区；移除牺牲层的第二区；在第一隔离层和牺牲层的第一区上形成第二隔离层；通过移除牺牲层的第一区而在沟槽中形成空气间隙；以及在维持该空气间隙的同时移除第一隔离层的一部分和第二隔离层的一部分。

公开(公告)号：CN102299137A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201110176544.X

申请日：2011-06-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳璋铉 ,  李钟旻 ,  朴泳雨 ,  郭东华 ,  金泰瑢 ,  韩智勋 ,  罗宗勋 ,  李东植

IPC: H01L23/528 ,  H01L27/02 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76229 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11536 ,  H01L29/66825

Abstract: 一种半导体器件，包括第一、第二和第三导电线，每一个均具有在衬底上形成并沿着第一方向延伸的各自的线部分，并且具有从所述各自的线部分的端部沿着不同于第一方向的方向延伸的各自的分支部分。中间导电线的分支部分被置于外部导电线的各自的分支部分之间，并且比外部导电线的各自的分支部分短，从而接触焊盘可以和导电线的这些分支部分整体形成。