公开(公告)号：CN109560037B

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN201810710445.7

申请日：2018-07-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宣敏喆 ,  河大元 ,  黄东勳 ,  白种和 ,  田钟珉 ,  河承模 ,  梁光容 ,  朴栽永 ,  丁英洙

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明提供一种包括器件隔离区的半导体器件。所述半导体器件包括设置在衬底上的第一有源区以及位于所述有源区之间的隔离区。所述隔离区包括由第一绝缘材料形成的第一部分及由第二绝缘材料形成的第二部分，所述第二绝缘材料具有与所述第一绝缘材料的特性不同的特性。所述第一部分比所述第二部分更靠近所述第一有源区。所述第二部分具有高度与所述第一部分的底表面的高度不同的底表面。

公开(公告)号：CN116978900A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202310417343.7

申请日：2023-04-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴晟植 ,  金正贤 ,  白种和 ,  宋见珠 ,  尹范浚

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/033 ,  H01L27/092

Abstract: 一种半导体器件包括：基板，包括键区域；虚设有源图案，提供在键区域上；虚设沟道图案，提供在虚设有源图案上，虚设沟道图案包括彼此间隔开的第一多个半导体图案；外延图案，连接到虚设沟道图案；以及第一子键图案，提供在虚设沟道图案上。第一子键图案围绕第一多个半导体图案中的每个的顶表面、底表面和侧表面。

公开(公告)号：CN109560037A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201810710445.7

申请日：2018-07-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宣敏喆 ,  河大元 ,  黄东勳 ,  白种和 ,  田钟珉 ,  河承模 ,  梁光容 ,  朴栽永 ,  丁英洙

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明提供一种包括器件隔离区的半导体器件。所述半导体器件包括设置在衬底上的第一有源区以及位于所述有源区之间的隔离区。所述隔离区包括由第一绝缘材料形成的第一部分及由第二绝缘材料形成的第二部分，所述第二绝缘材料具有与所述第一绝缘材料的特性不同的特性。所述第一部分比所述第二部分更靠近所述第一有源区。所述第二部分具有高度与所述第一部分的底表面的高度不同的底表面。