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公开(公告)号：CN116978900A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310417343.7
申请日：2023-04-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L21/033 , H01L27/092
Abstract: 一种半导体器件包括：基板，包括键区域；虚设有源图案，提供在键区域上；虚设沟道图案，提供在虚设有源图案上，虚设沟道图案包括彼此间隔开的第一多个半导体图案；外延图案，连接到虚设沟道图案；以及第一子键图案，提供在虚设沟道图案上。第一子键图案围绕第一多个半导体图案中的每个的顶表面、底表面和侧表面。
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