公开(公告)号：CN107017264B

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN201710037082.0

申请日：2017-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳璋铉 ,  朴镇泽 ,  申宅秀 ,  李成润

IPC: H01L27/11551 ,  H01L27/11578

Abstract: 本公开涉及存储器件。一种存储器件，其包括衬底、多个沟道柱、栅堆叠、层间绝缘层、多个第一沟槽、以及至少一个第二沟槽。衬底包括单元阵列区和连接区。沟道柱在单元阵列区中与衬底的上表面交叉。栅堆叠包括围绕单元阵列区中的构道柱的多个栅电极层。栅电极层在连接区中延伸至不同长度从而形成阶梯式结构。层间绝缘层在栅堆叠上。第一沟槽将栅堆叠和层间绝缘层划分成多个区域。所述至少一个第二沟槽在连接区中的层间绝缘层内并且在第一沟槽之间。

公开(公告)号：CN107017264A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201710037082.0

申请日：2017-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳璋铉 ,  朴镇泽 ,  申宅秀 ,  李成润

IPC: H01L27/11551 ,  H01L27/11578

CPC classification number: H01L27/11568 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11578

Abstract: 本公开涉及存储器件。一种存储器件，其包括衬底、多个沟道柱、栅堆叠、层间绝缘层、多个第一沟槽、以及至少一个第二沟槽。衬底包括单元阵列区和连接区。沟道柱在单元阵列区中与衬底的上表面交叉。栅堆叠包括围绕单元阵列区中的构道柱的多个栅电极层。栅电极层在连接区中延伸至不同长度从而形成阶梯式结构。层间绝缘层在栅堆叠上。第一沟槽将栅堆叠和层间绝缘层划分成多个区域。所述至少一个第二沟槽在连接区中的层间绝缘层内并且在第一沟槽之间。