-
公开(公告)号：CN109904302B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN201810803089.3
申请日：2018-07-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 发光器件包括具有第一表面和第二表面的发光芯片。第一光反射图案形成在第二表面上。多个端子设置成通过穿过第一光反射图案而连接到发光芯片。第二光反射图案形成在发光芯片的侧表面和第一光反射图案的侧表面上。透光图案形成在发光芯片和第二光反射图案之间并且在第一光反射图案和第二光反射图案之间延伸。波长转换层形成在发光芯片的第一表面上。
-
公开(公告)号：CN110473891B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN201910103435.1
申请日：2019-02-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了一种半导体发光器件以及使用该半导体发光器件的半导体发光器件封装件。所述半导体发光器件包括：第一导电类型半导体层，包括凹进区域和突出区域；活性层和第二导电类型半导体层，位于突出区域上；反射电极层，设置在第二导电类型半导体层上；绝缘层，包括设置在第一导电类型半导体层的接触区域上的第一开口和设置在反射电极层的接触区域上的第二开口；第一导电图案，设置在绝缘层上，并且延伸到第一开口中，以电连接到第一导电类型半导体层的接触区域；第二导电图案，设置在绝缘层上，并且延伸到第二开口中，以电连接到反射电极层；以及多层绝缘结构，覆盖第一导电图案和第二导电图案。
-
公开(公告)号：CN110085715A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201811562995.5
申请日：2018-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/10
Abstract: 一种半导体发光器件，包括：发光结构，其具有沿堆叠方向在其中堆叠的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；透明电极层，其在所述第二导电型半导体层上并且被分为第一区域和第二区域，所述透明电极层具有设置在所述第一区域中的多个第一通孔；绝缘反射层，其覆盖所述透明电极层并且在沿所述堆叠方向与所述第二区域重叠的区域中具有多个第二通孔；和反射电极层，其在所述绝缘反射层的所述区域上并通过所述多个第二通孔连接到所述透明电极层。
-
公开(公告)号：CN110085715B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN201811562995.5
申请日：2018-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10H20/814
Abstract: 一种半导体发光器件，包括：发光结构，其具有沿堆叠方向在其中堆叠的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；透明电极层，其在所述第二导电型半导体层上并且被分为第一区域和第二区域，所述透明电极层具有设置在所述第一区域中的多个第一通孔；绝缘反射层，其覆盖所述透明电极层并且在沿所述堆叠方向与所述第二区域重叠的区域中具有多个第二通孔；和反射电极层，其在所述绝缘反射层的所述区域上并通过所述多个第二通孔连接到所述透明电极层。
-
公开(公告)号：CN110473891A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910103435.1
申请日：2019-02-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了一种半导体发光器件以及使用该半导体发光器件的半导体发光器件封装件。所述半导体发光器件包括：第一导电类型半导体层，包括凹进区域和突出区域；活性层和第二导电类型半导体层，位于突出区域上；反射电极层，设置在第二导电类型半导体层上；绝缘层，包括设置在第一导电类型半导体层的接触区域上的第一开口和设置在反射电极层的接触区域上的第二开口；第一导电图案，设置在绝缘层上，并且延伸到第一开口中，以电连接到第一导电类型半导体层的接触区域；第二导电图案，设置在绝缘层上，并且延伸到第二开口中，以电连接到反射电极层；以及多层绝缘结构，覆盖第一导电图案和第二导电图案。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105633257B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201510696224.5
申请日：2015-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/38 , H01L33/62 , H01L2224/16245
Abstract: 本发明提供了半导体发光器件和具有半导体发光器件的半导体发光设备。该半导体发光器件可包括：发光结构，其包括具有被划分为第一区和第二区的上表面的第一导电类型的半导体层、按顺序设置在第一导电类型的半导体层的第二区上的有源层和第二导电类型的半导体层；第一接触电极，其设置在第一导电类型的半导体层的第一区上；第二接触电极，其设置在第二导电类型的半导体层上；第一电极焊盘，其电连接至第一接触电极，并且具有设置在第二接触电极上的至少一部分；第二电极焊盘，其电连接至第二接触电极；以及多层反射结构，其介于第一电极焊盘与第二接触电极之间，并且包括具有不同的折射率并且交替地堆叠的多个介电层。
-
公开(公告)号：CN109273572B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN201810791156.4
申请日：2018-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体发光装置包括发光结构、反射电极层和透明覆盖层。发光结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层。反射电极层覆盖第二半导体层的上表面。透明覆盖层位于反射电极层上，覆盖第二半导体层的上表面。透明覆盖层包括尾部，其包括第一部分和第二部分。第一部分覆盖反射电极层的边缘并且具有凸上表面。第二部分比第一部分更薄并且从第一部分延伸。
-
公开(公告)号：CN110085716A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910035212.6
申请日：2019-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体发光器件包括：发光结构，其包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；所述第二导电类型半导体层上的第一透明电极层；所述第一透明电极层上的第一绝缘层，所述第一绝缘层包括多个通孔；所述第一绝缘层上的反射电极层，所述反射电极层通过所述多个通孔连接至所述第一透明电极层；以及覆盖所述反射电极层的上表面和侧表面的透明保护层，所述透明保护层位于所述第一绝缘层的一部分上。
-
公开(公告)号：CN109273572A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201810791156.4
申请日：2018-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体发光装置包括发光结构、反射电极层和透明覆盖层。发光结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层。反射电极层覆盖第二半导体层的上表面。透明覆盖层位于反射电极层上，覆盖第二半导体层的上表面。透明覆盖层包括尾部，其包括第一部分和第二部分。第一部分覆盖反射电极层的边缘并且具有凸上表面。第二部分比第一部分更薄并且从第一部分延伸。
-
公开(公告)号：CN105633257A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510696224.5
申请日：2015-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/38 , H01L33/62 , H01L2224/16245
Abstract: 本发明提供了半导体发光器件和具有半导体发光器件的半导体发光设备。该半导体发光器件可包括：发光结构，其包括具有被划分为第一区和第二区的上表面的第一导电类型的半导体层、按顺序设置在第一导电类型的半导体层的第二区上的有源层和第二导电类型的半导体层；第一接触电极，其设置在第一导电类型的半导体层的第一区上；第二接触电极，其设置在第二导电类型的半导体层上；第一电极焊盘，其电连接至第一接触电极，并且具有设置在第二接触电极上的至少一部分；第二电极焊盘，其电连接至第二接触电极；以及多层反射结构，其介于第一电极焊盘与第二接触电极之间，并且包括具有不同的折射率并且交替地堆叠的多个介电层。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.027 seconds)
