公开(公告)号：CN105633257A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201510696224.5

申请日：2015-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈载仁 ,  宋尚烨 ,  河宗勋 ,  金起范 ,  崔丞佑

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/38 ,  H01L33/46

CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/16245

Abstract: 本发明提供了半导体发光器件和具有半导体发光器件的半导体发光设备。该半导体发光器件可包括：发光结构，其包括具有被划分为第一区和第二区的上表面的第一导电类型的半导体层、按顺序设置在第一导电类型的半导体层的第二区上的有源层和第二导电类型的半导体层；第一接触电极，其设置在第一导电类型的半导体层的第一区上；第二接触电极，其设置在第二导电类型的半导体层上；第一电极焊盘，其电连接至第一接触电极，并且具有设置在第二接触电极上的至少一部分；第二电极焊盘，其电连接至第二接触电极；以及多层反射结构，其介于第一电极焊盘与第二接触电极之间，并且包括具有不同的折射率并且交替地堆叠的多个介电层。

公开(公告)号：CN105633257B

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201510696224.5

申请日：2015-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈载仁 ,  宋尚烨 ,  河宗勋 ,  金起范 ,  崔丞佑

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/38 ,  H01L33/46

CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/16245

Abstract: 本发明提供了半导体发光器件和具有半导体发光器件的半导体发光设备。该半导体发光器件可包括：发光结构，其包括具有被划分为第一区和第二区的上表面的第一导电类型的半导体层、按顺序设置在第一导电类型的半导体层的第二区上的有源层和第二导电类型的半导体层；第一接触电极，其设置在第一导电类型的半导体层的第一区上；第二接触电极，其设置在第二导电类型的半导体层上；第一电极焊盘，其电连接至第一接触电极，并且具有设置在第二接触电极上的至少一部分；第二电极焊盘，其电连接至第二接触电极；以及多层反射结构，其介于第一电极焊盘与第二接触电极之间，并且包括具有不同的折射率并且交替地堆叠的多个介电层。