公开(公告)号：CN119497400A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202411081011.7

申请日：2024-08-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金裕珉 ,  金世润 ,  朴可篮 ,  宋伣在 ,  杨承烈 ,  玄昇潭

IPC: H10B63/00 ,  H10N70/00 ,  H10N70/20

Abstract: 公开可变电阻存储器件和包括其的电子装置。所述可变电阻存储器件包括：沟道层；设置在所述沟道层上的电阻变化层，所述电阻变化层具有基于施加的电压而变化的电阻特性并且具有第一氧扩散激活能；以及设置在所述沟道层和所述电阻变化层之间的界面层，所述界面层具有比所述电阻变化层的第一氧扩散激活能大的第二氧扩散激活能。

公开(公告)号：CN117597016A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311052282.5

申请日：2023-08-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金世润 ,  姜周宪 ,  金宣浩 ,  金裕珉 ,  朴可篮 ,  宋伣在 ,  安东浩 ,  杨承烈 ,  禹明勋 ,  李镇宇

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00 ,  H10B63/00

Abstract: 提供可变电阻存储器件和/或包括其的电子设备。所述可变电阻存储器件包括：包括具有大于或等于约9％的缺氧率的金属氧化物的电阻变化层；在所述电阻变化层上的半导体层；在所述半导体层上的栅极绝缘层；和在所述栅极绝缘层上彼此隔开的多个栅电极。

公开(公告)号：CN118265292A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311342424.1

申请日：2023-10-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金世润 ,  姜周宪 ,  金裕珉 ,  朴可篮 ,  宋伣在 ,  安东浩 ,  杨承烈 ,  禹明勋 ,  李镇宇 ,  玄昇潭

IPC: H10B41/27 ,  H10B41/35 ,  H10B43/27 ,  H10B43/35

Abstract: 本发明提供一种包括垂直堆叠结构的存储器件、该存储器件的制造和操作方法以及包括该存储器件的电子装置，该存储器件包括栅电极、电阻变化层、在栅电极和电阻变化层之间的沟道、在电阻变化层和沟道之间并与电阻变化层和沟道接触的岛结构、以及在栅电极和沟道之间的栅极绝缘层。

公开(公告)号：CN118301938A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202311304446.9

申请日：2023-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许浩硕 ,  金贤庆 ,  玄昇潭 ,  金庆勳 ,  杨承烈 ,  延国贤 ,  李珉贤 ,  崔硕训

IPC: H10B43/30 ,  G11C13/00

Abstract: 提供了一种垂直非易失性存储器装置。垂直非易失性存储器装置包括柱、围绕柱的侧表面的沟道层、围绕沟道层的侧表面的电荷隧穿层、围绕电荷隧穿层的侧表面并包括非晶氮氧化物的电荷捕获层、围绕电荷捕获层的侧表面的电荷阻挡层以及围绕电荷阻挡层的侧表面并沿电荷阻挡层的侧表面交替布置的多个分离层和多个栅电极。

公开(公告)号：CN118251013A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202310897367.7

申请日：2023-07-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金庆勳 ,  金宣浩 ,  金世润 ,  金贤庆 ,  杨承烈 ,  延国贤 ,  李珉贤 ,  崔硕训 ,  许浩硕

IPC: H10B43/35

Abstract: 提供了垂直NAND闪存装置。所述垂直NAND闪存装置可包括：多个单元阵列。所述多个单元阵列中的每个可包括：沟道层；电荷捕获层，在沟道层上；以及多个栅电极，在电荷捕获层上。电荷捕获层可包括包含金属的氮氧化硅。金属可包括Ga和In中的至少一者。

公开(公告)号：CN118301939A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202311128821.9

申请日：2023-08-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 玄昇潭 ,  金庆勳 ,  金宣浩 ,  金贤庆 ,  朴洸珉 ,  杨承烈 ,  延国贤 ,  李珉贤 ,  崔硕训 ,  许浩硕

IPC: H10B43/35

Abstract: 公开了垂直NAND闪存装置。所述垂直NAND闪存装置包括多个单元阵列，其中，所述多个单元阵列的每个单元阵列包括：沟道层；电荷捕获层，设置在沟道层上，电荷捕获层包括基体和电荷捕获材料，基体包括电介质，电荷捕获材料在基体中并且包括反铁电纳米晶体或铁电纳米晶体；以及多个栅电极，设置在电荷捕获层上。

公开(公告)号：CN117596893A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202310916866.6

申请日：2023-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金裕珉 ,  姜周宪 ,  金宣浩 ,  金世润 ,  朴可篮 ,  宋伣在 ,  安东浩 ,  杨承烈 ,  禹明勋 ,  李镇宇

IPC: H10B63/00

Abstract: 提供一种非易失性存储器件及其操作方法。该非易失性存储器件可以包括导电柱、围绕导电柱的侧表面的电阻变化层、围绕电阻变化层的侧表面的半导体层、围绕半导体层的侧表面的栅极绝缘层、以及沿着栅极绝缘层的表面交替布置的多个绝缘图案和多个栅电极。所述多个绝缘图案和所述多个栅电极可以围绕栅极绝缘层的侧表面。

公开(公告)号：CN116249353A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202211550188.8

申请日：2022-12-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  裵鹤烈 ,  杨承烈 ,  李珉贤 ,  文泰欢

IPC: H10B51/20 ,  H10B51/30

Abstract: 本公开提供了垂直非易失性存储器器件和包括其的电子装置。该垂直非易失性存储器器件可以包括：多个绝缘层和多个导电层，在垂直于衬底的表面的方向上交替地堆叠在衬底的表面上；在衬底上的沟道层，其中沟道层在垂直于衬底的表面的方向上延伸，沟道层可以在所述多个绝缘层的侧表面和所述多个导电层的侧表面上；以及铁电层，在沟道层与所述多个导电层的侧表面之间。