公开(公告)号：CN103219718A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310016652.X

申请日：2013-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全灿熙 ,  金杜炯 ,  金汉求 ,  徐宇镇 ,  李起泰 ,  任弘郁

IPC: H02H9/02 ,  H02H9/04 ,  H01L27/02

CPC classification number: H02H9/044 ,  H02H9/046

Abstract: 一种静电放电(ESD)保护电路，包括：第一电源线；第二电源线；地线；两个堆叠的晶体管，串联在第一电源线和地线之间；第一电阻，连接在所述第一电源线和第一节点之间；第一晶体管和电容器，串联连接在所述第一节点和所述地线之间；第二晶体管，连接在所述第二电源线和第二节点之间；第三晶体管，连接在所述第一电源线和第三节点之间；反相器，连接在所述第三节点和地线之间，并且具有连接到所述第二节点的输入；第四晶体管，连接到所述第一电源线，并且具有连接到所述第二节点的栅极；第五晶体管，连接在所述第二电源线和所述第三节点之间，并且具有连接到所述第四晶体管的一端的栅极。

公开(公告)号：CN100459117C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200410098174.2

申请日：2004-08-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金汉求 ,  李起泰 ,  高在赫 ,  金禹燮 ,  张成必

IPC: H01L23/60

CPC classification number: H01L27/0251

Abstract: 本发明提供了一种具有输入/输出静电释放(I/O ESD)保护单元的集成电路装置。这种集成电路装置包括一种I/O ESD保护单元，其中该I/O ESD保护单元包括连接在I/O衬垫和VDD线之间的VDDESD保护部件、连接在I/O衬垫和Vss线之间的接地电压(Vss)ESD保护部件以及连接在VDD线和Vss线之间的电源箝位部件，并且I/O ESD保护单元中的VDDESD保护部件、电源箝位部件以及Vss ESD保护部件之间相互位置邻近，从而它们能连成一条直线，或部分重叠。

公开(公告)号：CN104103689A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201410143763.1

申请日：2014-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全灿熙 ,  权银景 ,  金一龙 ,  金汉求 ,  徐宇镇 ,  李起泰

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823814 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/266 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823871 ,  H01L23/535 ,  H01L27/0288 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/1116 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。在一个实施方式中，半导体器件包括：至少一个有源鳍，从衬底突出；第一栅电极，交叉有源鳍；第一杂质区，形成在位于第一栅电极的第一侧的有源鳍上。第一杂质区的至少一部分形成在有源鳍上的第一外延层部分中。第二杂质区形成在位于第一栅电极的第二侧的有源鳍上。第二杂质区具有不形成在外延层中的至少一部分。

公开(公告)号：CN104103689B

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201410143763.1

申请日：2014-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全灿熙 ,  权银景 ,  金一龙 ,  金汉求 ,  徐宇镇 ,  李起泰

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。在一个实施方式中，半导体器件包括：至少一个有源鳍，从衬底突出；第一栅电极，交叉有源鳍；第一杂质区，形成在位于第一栅电极的第一侧的有源鳍上。第一杂质区的至少一部分形成在有源鳍上的第一外延层部分中。第二杂质区形成在位于第一栅电极的第二侧的有源鳍上。第二杂质区具有不形成在外延层中的至少一部分。

公开(公告)号：CN103219718B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201310016652.X

申请日：2013-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全灿熙 ,  金杜炯 ,  金汉求 ,  徐宇镇 ,  李起泰 ,  任弘郁

IPC: H02H9/02 ,  H02H9/04 ,  H01L27/02

CPC classification number: H02H9/044 ,  H02H9/046

Abstract: 一种静电放电(ESD)保护电路，包括：第一电源线；第二电源线；地线；两个堆叠的晶体管，串联在第一电源线和地线之间；第一电阻，连接在所述第一电源线和第一节点之间；第一晶体管和电容器，串联连接在所述第一节点和所述地线之间；第二晶体管，连接在所述第二电源线和第二节点之间；第三晶体管，连接在所述第一电源线和第三节点之间；反相器，连接在所述第三节点和地线之间，并且具有连接到所述第二节点的输入；第四晶体管，连接到所述第一电源线，并且具有连接到所述第二节点的栅极；第五晶体管，连接在所述第二电源线和所述第三节点之间，并且具有连接到所述第四晶体管的一端的栅极。

公开(公告)号：CN1607664A

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：CN200410098174.2

申请日：2004-08-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金汉求 ,  李起泰 ,  高在赫 ,  金禹燮 ,  张成必

IPC: H01L23/60

CPC classification number: H01L27/0251

Abstract: 本发明提供了一种具有输入/输出静电释放(I/OESD)保护单元的集成电路装置。这种集成电路装置包括一种I/O ESD保护单元，其中该I/O ESD保护单元包括连接在I/O衬垫和VDD线之间的VDDESD保护部件、连接在I/O衬垫和Vss线之间的接地电压(Vss)ESD保护部件以及连接在VDD线和Vss线之间的电源箝位部件，并且I/O ESD保护单元中的VDDESD保护部件、电源箝位部件以及Vss ESD保护部件之间相互位置邻近，从而它们能连成一条直线，或部分重叠。