公开(公告)号：CN100459117C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200410098174.2

申请日：2004-08-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金汉求 ,  李起泰 ,  高在赫 ,  金禹燮 ,  张成必

IPC: H01L23/60

CPC classification number: H01L27/0251

Abstract: 本发明提供了一种具有输入/输出静电释放(I/O ESD)保护单元的集成电路装置。这种集成电路装置包括一种I/O ESD保护单元，其中该I/O ESD保护单元包括连接在I/O衬垫和VDD线之间的VDDESD保护部件、连接在I/O衬垫和Vss线之间的接地电压(Vss)ESD保护部件以及连接在VDD线和Vss线之间的电源箝位部件，并且I/O ESD保护单元中的VDDESD保护部件、电源箝位部件以及Vss ESD保护部件之间相互位置邻近，从而它们能连成一条直线，或部分重叠。

公开(公告)号：CN1825588A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610005724.0

申请日：2006-01-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全灿熙 ,  金汉求 ,  张成必

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/60

CPC classification number: H01L27/0262

Abstract: 一种在第一焊盘和第二焊盘之间的静电放电电路，包括：一静电放电电路元件，包括双极晶体管路径和电阻器路径，该静电放电电路元件通过双极晶体管路径和电阻器路径交替地使静电电流放电。本发明还涉及一种使由静电放电事件引起的静电电流耗散的方法。

公开(公告)号：CN109872991B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN201811473112.3

申请日：2018-12-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张成必 ,  金昌洙 ,  金汉求 ,  梁文硕 ,  全暻基

IPC: H01L27/02

Abstract: 提供了一种静电放电(ESD)保护电路和一种集成电路。所述ESD保护电路包括：暂态检测电路，被配置为基于第一电力轨上的电压的电压变化速率生成动态触发信号；电压检测电路，被配置为基于第一电力轨上的电压生成静态触发信号；触发器电路，被配置为基于动态触发信号和静态触发信号生成放电控制信号；以及主放电电路，被配置为基于放电控制信号从第一电力轨向第二电力轨释放电荷。

公开(公告)号：CN109872991A

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201811473112.3

申请日：2018-12-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张成必 ,  金昌洙 ,  金汉求 ,  梁文硕 ,  全暻基

IPC: H01L27/02

Abstract: 提供了一种静电放电(ESD)保护电路和一种集成电路。所述ESD保护电路包括：暂态检测电路，被配置为基于第一电力轨上的电压的电压变化速率生成动态触发信号；电压检测电路，被配置为基于第一电力轨上的电压生成静态触发信号；触发器电路，被配置为基于动态触发信号和静态触发信号生成放电控制信号；以及主放电电路，被配置为基于放电控制信号从第一电力轨向第二电力轨释放电荷。

公开(公告)号：CN101350348A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200810108758.1

申请日：2006-01-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全灿熙 ,  金汉求 ,  张成必

IPC: H01L27/02 ,  H02H9/00

CPC classification number: H01L27/0262

Abstract: 一种在第一焊盘和第二焊盘之间的静电放电电路，包括：一静电放电电路元件，包括双极晶体管路径和电阻器路径，该静电放电电路元件通过双极晶体管路径和电阻器路径交替地使静电电流放电。本发明还涉及一种使由静电放电事件引起的静电电流耗散的方法，包括通过双极晶体管路径和电阻器路径交替地使静电电流放电。

公开(公告)号：CN101350348B

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN200810108758.1

申请日：2006-01-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全灿熙 ,  金汉求 ,  张成必

IPC: H01L27/02 ,  H02H9/00

CPC classification number: H01L27/0262

Abstract: 一种在第一焊盘和第二焊盘之间的静电放电电路，包括：一静电放电电路元件，包括双极晶体管路径和电阻器路径，该静电放电电路元件通过双极晶体管路径和电阻器路径交替地使静电电流放电。本发明还涉及一种使由静电放电事件引起的静电电流耗散的方法，包括通过双极晶体管路径和电阻器路径交替地使静电电流放电。

公开(公告)号：CN1825588B

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200610005724.0

申请日：2006-01-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全灿熙 ,  金汉求 ,  张成必

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/60

CPC classification number: H01L27/0262

Abstract: 一种在第一焊盘和第二焊盘之间的静电放电电路，包括：一静电放电电路元件，包括双极晶体管路径和电阻器路径，该静电放电电路元件通过双极晶体管路径和电阻器路径交替地使静电电流放电。本发明还涉及一种使由静电放电事件引起的静电电流耗散的方法。

公开(公告)号：CN1607664A

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：CN200410098174.2

申请日：2004-08-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金汉求 ,  李起泰 ,  高在赫 ,  金禹燮 ,  张成必

IPC: H01L23/60

CPC classification number: H01L27/0251

Abstract: 本发明提供了一种具有输入/输出静电释放(I/OESD)保护单元的集成电路装置。这种集成电路装置包括一种I/O ESD保护单元，其中该I/O ESD保护单元包括连接在I/O衬垫和VDD线之间的VDDESD保护部件、连接在I/O衬垫和Vss线之间的接地电压(Vss)ESD保护部件以及连接在VDD线和Vss线之间的电源箝位部件，并且I/O ESD保护单元中的VDDESD保护部件、电源箝位部件以及Vss ESD保护部件之间相互位置邻近，从而它们能连成一条直线，或部分重叠。