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发明公开
半导体装置审中-公开

公开(公告)号：CN119677170A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202410412149.4

申请日：2024-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗相喆 , 金汎镇 , 安裕临 , 李敬雨 , 李敏丞 , 李潓姈 , 赵槿汇 , 河承锡

IPC: H10D89/10 , H10D84/83

Abstract: 本公开提供了一种半导体装置。半导体装置包括：绝缘层，其包括第一表面、第二表面和元件隔离沟槽；绝缘图案，其位于绝缘层的第一表面上；有源图案，其位于绝缘图案上并且包括沟道图案；源极/漏极图案，其位于有源图案的至少一侧上；下布线结构，其位于绝缘层的第二表面上；以及通孔件，其在绝缘层中延伸并且连接源极/漏极图案和下布线结构，其中，绝缘图案可以包括位于绝缘层和有源图案之间的第一部分、围绕通孔件的至少一部分的第二部分、以及位于元件隔离沟槽的底表面上的第三部分。

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