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公开(公告)号：CN101359693A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810161179.3
申请日：2008-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/84 , G02F1/1362 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1288
Abstract: 本发明提供薄膜晶体管，包括：半导体图案、源极和漏极电极及栅极电极，在基础基板上形成半导体图案，并且该半导体图案包括金属氧化物。在该半导体图案上形成源极和漏极电极，使得该源极和漏极电极彼此空间分离，并且该源极和漏极电极的轮廓基本上与半导体图案的轮廓相同。在源极和漏极电极之间的区域中设置栅极电极，使得栅极电极的部分与源极和漏极电极重叠。因此，光引起的漏电流被最小化。结果，提高了薄膜晶体管的特性，减少了残留图像以提高显示质量，并提高了制造工艺的稳定性。本发明还提供阵列基板及其制造方法。
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公开(公告)号：CN101226901A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200710300775.0
申请日：2007-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/84 , H01L21/768 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L27/12 , H01L23/532 , H01L29/786 , H01L29/43 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/1288 , H01L29/45 , H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管基板及其制造方法。制造薄膜晶体管基板的方法包括在基板上形成包括栅极线、栅电极和下部栅极垫片电极的第一导电图形组，在其上形成有该第一导电图形组的基板上形成栅极绝缘层，在该栅极绝缘层上形成与该栅电极重叠的氧化物半导体图形，以及在其上形成有该氧化物半导体图形的基板上形成第一导电层和第二导电层，并且图形化该第一导电层和第二导电层以形成第二导电图形组，其包括数据线、源电极、漏电极和数据垫片。
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公开(公告)号：CN101132011A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710152639.1
申请日：2007-07-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L21/84 , H01L21/768 , G02F1/1362
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L27/124
Abstract: 本发明涉及一种阵列基板，包括开关元件、信号传输线、钝化层和像素电极。开关元件设置在绝缘基板上。信号传输线连接到开关元件，并包括阻挡层、导电线和氮化铜层。阻挡层设置在绝缘基板上。导电线设置在阻挡层上，并且包括铜或者铜合金。氮化铜层覆盖导电线。钝化层覆盖开关元件和信号传输线并具有接触孔，通过该接触孔部分地露出开关元件的漏电极。像素电极设置在绝缘基板上，并通过接触孔连接到开关元件的漏电极。本发明还涉及具有阵列基板的显示器件以及制造阵列基板的方法。
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公开(公告)号：CN1976044A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610140028.0
申请日：2006-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768
Abstract: 一种薄膜晶体管阵列面板，包括：像素电极，形成在基板上；栅极线，形成在像素电极上；栅极绝缘薄膜，形成在栅极线上；半导体，形成在栅极绝缘薄膜上；数据线和漏电极，形成在栅极绝缘薄膜上；以及钝化层，形成在数据线和漏电极的部分上。栅极线包括与像素电极形成在相同层上并且具有相同材料的第一薄膜以及形成在第一薄膜上的第二薄膜。
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