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公开(公告)号：CN110660423B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201910548748.8
申请日：2019-06-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
Abstract: 公开了一种存储器设备。该存储器设备包括：包括目标单元的存储单元阵列；驱动字线的行解码器；以及被配置为驱动位线和源极线的写入驱动器与感测放大器。行解码器被配置为在第一编程操作和第二编程操作中驱动字线。在第一编程操作开始和第二编程操作结束之间，写入驱动器与感测放大器被配置为连续地用第二驱动电压驱动连接到目标单元的位线或用第三驱动电压驱动连接到目标单元的源极线。
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公开(公告)号：CN109427376A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810974238.2
申请日：2018-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储设备，可以包括：选择的位线，连接到第一节点并且配置为接收第一电流；选择的存储单元，连接到选择的位线；参考位线，连接到第二节点并且配置为接收第二电流；参考存储单元，连接在参考位线与参考源极线之间；子位线，连接到第二节点；子存储单元，连接在子位线与子源极线之间；以及读出放大器，配置为读出第一节点与第二节点之间的电压差，以确定从连接到选择的位线的选择的存储单元所读取的数据。子存储单元可以包括单元晶体管。单元晶体管的栅极电极可以连接到子源极线。
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公开(公告)号：CN113312229B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202110213741.8
申请日：2021-02-25
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李桢赫
IPC: G06F11/263
Abstract: 一种用于包括多个存储器单元的存储器装置的测试方法包括：生成第一测试图案；执行将第一测试图案写入多个存储器单元中的第一图案写操作；从写入有第一测试图案的多个存储器单元读取第一数据；基于第一数据生成第二测试图案；以及执行将第二测试图案写入多个存储器单元中的第二图案写操作。第二测试图案被生成，使得在第二图案写操作期间针对多个存储器单元当中的发生写故障的故障单元写操作被跳过。
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公开(公告)号：CN113838500A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202110691200.6
申请日：2021-06-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
Abstract: 公开了包括电阻存储器单元的存储器装置和包括其的电子装置。该存储器装置包括：包括电阻存储器单元的第一非易失性存储器和控制器。控制器可被配置为向第一非易失性存储器提供第一数据、第一编程命令和第一地址。控制器可被配置为响应于第一编程命令从第一非易失性存储器接收第二数据，其是来自编程有第一数据的电阻存储器单元的验证读取。控制器可被配置为将第一数据与第二数据进行比较以检测故障单元的数量。当所检测到的故障单元的数量大于参考值时，控制器可被配置为生成通过将第一数据反转获得的第三数据，并且将第三数据提供给第一非易失性存储器。第一数据可包括反转标志比特。
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公开(公告)号：CN110391266B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201910302589.3
申请日：2019-04-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B61/00
Abstract: 提供了一种半导体器件，其包括：位于衬底上的栅极结构；源极接触和漏极接触，分别位于栅极结构的相对侧处，并连接到衬底；磁隧道结，连接到漏极接触；第一导线，连接到源极接触；以及第二导线，通过第一通路接触连接到第一导线。第二导线相对于第一导线远离衬底。第一导线和第二导线沿第一方向平行地延伸。第一导线和第二导线在与第一方向交叉的第二方向上具有宽度。第一导线的宽度和第二导线的宽度相同。第一通路接触沿与衬底的顶表面垂直的第三方向与源极接触对齐。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109712657B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201810864101.1
申请日：2018-08-01
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李桢赫
IPC: G11C13/00
Abstract: 提供可变电阻存储器器件。可变电阻存储器器件包括存储器单元，该存储器单元包括开关器件和与开关器件串联连接的电阻感测元件。可变电阻存储器器件包括在第一方向上延伸并连接到开关器件的栅极的字线。而且，可变电阻存储器器件包括在第二方向上延伸的多个位线。多个位线当中的第一位线的第一连接节点电连接到电阻感测元件。在多个位线当中，与第一位线相邻的第二位线的第二连接节点电连接到开关器件。
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公开(公告)号：CN109427376B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN201810974238.2
申请日：2018-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储设备，可以包括：选择的位线，连接到第一节点并且配置为接收第一电流；选择的存储单元，连接到选择的位线；参考位线，连接到第二节点并且配置为接收第二电流；参考存储单元，连接在参考位线与参考源极线之间；子位线，连接到第二节点；子存储单元，连接在子位线与子源极线之间；以及读出放大器，配置为读出第一节点与第二节点之间的电压差，以确定从连接到选择的位线的选择的存储单元所读取的数据。子存储单元可以包括单元晶体管。单元晶体管的栅极电极可以连接到子源极线。
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公开(公告)号：CN110660423A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910548748.8
申请日：2019-06-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
Abstract: 公开了一种存储器设备。该存储器设备包括：包括目标单元的存储单元阵列；驱动字线的行解码器；以及被配置为驱动位线和源极线的写入驱动器与感测放大器。行解码器被配置为在第一编程操作和第二编程操作中驱动字线。在第一编程操作开始和第二编程操作结束之间，写入驱动器与感测放大器被配置为连续地用第二驱动电压驱动连接到目标单元的位线或用第三驱动电压驱动连接到目标单元的源极线。
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公开(公告)号：CN113312229A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110213741.8
申请日：2021-02-25
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李桢赫
IPC: G06F11/263
Abstract: 一种用于包括多个存储器单元的存储器装置的测试方法包括：生成第一测试图案；执行将第一测试图案写入多个存储器单元中的第一图案写操作；从写入有第一测试图案的多个存储器单元读取第一数据；基于第一数据生成第二测试图案；以及执行将第二测试图案写入多个存储器单元中的第二图案写操作。第二测试图案被生成，使得在第二图案写操作期间针对多个存储器单元当中的发生写故障的故障单元写操作被跳过。
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公开(公告)号：CN110391266A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910302589.3
申请日：2019-04-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/22
Abstract: 提供了一种半导体器件，其包括：位于衬底上的栅极结构；源极接触和漏极接触，分别位于栅极结构的相对侧处，并连接到衬底；磁隧道结，连接到漏极接触；第一导线，连接到源极接触；以及第二导线，通过第一通路接触连接到第一导线。第二导线相对于第一导线远离衬底。第一导线和第二导线沿第一方向平行地延伸。第一导线和第二导线在与第一方向交叉的第二方向上具有宽度。第一导线的宽度和第二导线的宽度相同。第一通路接触沿与衬底的顶表面垂直的第三方向与源极接触对齐。
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