公开(公告)号：CN114944179A

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202111534557.X

申请日：2021-12-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李康豪 ,  徐辅永 ,  金尚骏 ,  郑丞哲

IPC: G11C11/16 ,  G06N3/063 ,  H01L27/22

Abstract: 提供了处理设备和包括该处理设备的电子系统，该处理设备由于位单元尺寸的减小而具有改善的模拟计算的可靠性和功耗效率以及高成本效率。该处理设备包括：至少一条位单元线，多个位单元在其上彼此串联连接，其中位单元中的每一个包括：第一磁隧道结(MTJ)元件；第二MTJ元件，并联连接到第一MTJ元件；第一开关元件，串联连接到第一MTJ元件；以及第二开关元件，串联连接到第二MTJ元件，并且其中在位单元线上，两个相邻的位单元以镜像结构彼此串联连接。

公开(公告)号：CN120032685A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202411654021.5

申请日：2024-11-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宰赫 ,  权纯完 ,  金尚骏 ,  明成敃 ,  徐辅永 ,  尹石柱 ,  李康豪

IPC: G11C11/16

Abstract: 公开了非易失性存储器装置。所述非易失性存储器装置包括：存储器阵列，包括表示每条字线的N位的位序列的N+1个电阻式存储器单元，其中，N是大于或等于2的整数。

公开(公告)号：CN113838500A

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN202110691200.6

申请日：2021-06-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李桢赫 ,  申慧旻 ,  李康豪

IPC: G11C11/16

Abstract: 公开了包括电阻存储器单元的存储器装置和包括其的电子装置。该存储器装置包括：包括电阻存储器单元的第一非易失性存储器和控制器。控制器可被配置为向第一非易失性存储器提供第一数据、第一编程命令和第一地址。控制器可被配置为响应于第一编程命令从第一非易失性存储器接收第二数据，其是来自编程有第一数据的电阻存储器单元的验证读取。控制器可被配置为将第一数据与第二数据进行比较以检测故障单元的数量。当所检测到的故障单元的数量大于参考值时，控制器可被配置为生成通过将第一数据反转获得的第三数据，并且将第三数据提供给第一非易失性存储器。第一数据可包括反转标志比特。