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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113838500A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202110691200.6
申请日：2021-06-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
Abstract: 公开了包括电阻存储器单元的存储器装置和包括其的电子装置。该存储器装置包括：包括电阻存储器单元的第一非易失性存储器和控制器。控制器可被配置为向第一非易失性存储器提供第一数据、第一编程命令和第一地址。控制器可被配置为响应于第一编程命令从第一非易失性存储器接收第二数据，其是来自编程有第一数据的电阻存储器单元的验证读取。控制器可被配置为将第一数据与第二数据进行比较以检测故障单元的数量。当所检测到的故障单元的数量大于参考值时，控制器可被配置为生成通过将第一数据反转获得的第三数据，并且将第三数据提供给第一非易失性存储器。第一数据可包括反转标志比特。
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公开(公告)号：CN109427376B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN201810974238.2
申请日：2018-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储设备，可以包括：选择的位线，连接到第一节点并且配置为接收第一电流；选择的存储单元，连接到选择的位线；参考位线，连接到第二节点并且配置为接收第二电流；参考存储单元，连接在参考位线与参考源极线之间；子位线，连接到第二节点；子存储单元，连接在子位线与子源极线之间；以及读出放大器，配置为读出第一节点与第二节点之间的电压差，以确定从连接到选择的位线的选择的存储单元所读取的数据。子存储单元可以包括单元晶体管。单元晶体管的栅极电极可以连接到子源极线。
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公开(公告)号：CN110660423A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910548748.8
申请日：2019-06-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
Abstract: 公开了一种存储器设备。该存储器设备包括：包括目标单元的存储单元阵列；驱动字线的行解码器；以及被配置为驱动位线和源极线的写入驱动器与感测放大器。行解码器被配置为在第一编程操作和第二编程操作中驱动字线。在第一编程操作开始和第二编程操作结束之间，写入驱动器与感测放大器被配置为连续地用第二驱动电压驱动连接到目标单元的位线或用第三驱动电压驱动连接到目标单元的源极线。
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公开(公告)号：CN110660423B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201910548748.8
申请日：2019-06-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
Abstract: 公开了一种存储器设备。该存储器设备包括：包括目标单元的存储单元阵列；驱动字线的行解码器；以及被配置为驱动位线和源极线的写入驱动器与感测放大器。行解码器被配置为在第一编程操作和第二编程操作中驱动字线。在第一编程操作开始和第二编程操作结束之间，写入驱动器与感测放大器被配置为连续地用第二驱动电压驱动连接到目标单元的位线或用第三驱动电压驱动连接到目标单元的源极线。
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公开(公告)号：CN109427376A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810974238.2
申请日：2018-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储设备，可以包括：选择的位线，连接到第一节点并且配置为接收第一电流；选择的存储单元，连接到选择的位线；参考位线，连接到第二节点并且配置为接收第二电流；参考存储单元，连接在参考位线与参考源极线之间；子位线，连接到第二节点；子存储单元，连接在子位线与子源极线之间；以及读出放大器，配置为读出第一节点与第二节点之间的电压差，以确定从连接到选择的位线的选择的存储单元所读取的数据。子存储单元可以包括单元晶体管。单元晶体管的栅极电极可以连接到子源极线。
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