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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110910932A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201910846983.3
申请日：2019-09-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 可以提供一种存储器装置，其包括可变电阻存储器单元，所述可变电阻存储器单元包括可变电阻元件、第一单元晶体管和第二单元晶体管，可变电阻元件的第一端连接到位线，可变电阻元件的第二端、第一单元晶体管的第一端和第二单元晶体管的第一端连接到公共节点，第一单元晶体管的第二端和第二单元晶体管的第二端连接到源极线；和字线控制电路，其被配置为在第一写入操作中将连接到第二单元晶体管的栅电极的子字线与连接到第一单元晶体管的栅电极的字线分离，并被配置为在第二写入操作中将字线和子字线彼此连接。
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公开(公告)号：CN109427376B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN201810974238.2
申请日：2018-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储设备，可以包括：选择的位线，连接到第一节点并且配置为接收第一电流；选择的存储单元，连接到选择的位线；参考位线，连接到第二节点并且配置为接收第二电流；参考存储单元，连接在参考位线与参考源极线之间；子位线，连接到第二节点；子存储单元，连接在子位线与子源极线之间；以及读出放大器，配置为读出第一节点与第二节点之间的电压差，以确定从连接到选择的位线的选择的存储单元所读取的数据。子存储单元可以包括单元晶体管。单元晶体管的栅极电极可以连接到子源极线。
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公开(公告)号：CN110660423A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910548748.8
申请日：2019-06-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
Abstract: 公开了一种存储器设备。该存储器设备包括：包括目标单元的存储单元阵列；驱动字线的行解码器；以及被配置为驱动位线和源极线的写入驱动器与感测放大器。行解码器被配置为在第一编程操作和第二编程操作中驱动字线。在第一编程操作开始和第二编程操作结束之间，写入驱动器与感测放大器被配置为连续地用第二驱动电压驱动连接到目标单元的位线或用第三驱动电压驱动连接到目标单元的源极线。
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公开(公告)号：CN110660423B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201910548748.8
申请日：2019-06-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
Abstract: 公开了一种存储器设备。该存储器设备包括：包括目标单元的存储单元阵列；驱动字线的行解码器；以及被配置为驱动位线和源极线的写入驱动器与感测放大器。行解码器被配置为在第一编程操作和第二编程操作中驱动字线。在第一编程操作开始和第二编程操作结束之间，写入驱动器与感测放大器被配置为连续地用第二驱动电压驱动连接到目标单元的位线或用第三驱动电压驱动连接到目标单元的源极线。
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公开(公告)号：CN109427376A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810974238.2
申请日：2018-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储设备，可以包括：选择的位线，连接到第一节点并且配置为接收第一电流；选择的存储单元，连接到选择的位线；参考位线，连接到第二节点并且配置为接收第二电流；参考存储单元，连接在参考位线与参考源极线之间；子位线，连接到第二节点；子存储单元，连接在子位线与子源极线之间；以及读出放大器，配置为读出第一节点与第二节点之间的电压差，以确定从连接到选择的位线的选择的存储单元所读取的数据。子存储单元可以包括单元晶体管。单元晶体管的栅极电极可以连接到子源极线。
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