公开(公告)号：CN114664844A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202111529275.0

申请日：2021-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李慧美 ,  高圣才 ,  宋炫周 ,  朴宣重 ,  朴汉容

IPC: H01L27/11568 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582

Abstract: 本公开提供了半导体器件以及包括该半导体器件的电子系统。一种半导体器件包括：在基板上的外围电路层；在基板上的下堆叠和上堆叠；停止物层，在上堆叠上并包括绝缘材料；在停止物层上的上模具层；延伸穿过下堆叠、上堆叠、停止物层和上模具层的单元沟道结构，单元沟道结构的侧表面接触停止物层；第一覆盖层和第二覆盖层；字线分隔结构，包括朝向停止物层突出的突起；以及连接到单元沟道结构的位线接触插塞，其中停止物层的内部侧表面从上堆叠的内部侧表面偏移并与字线分隔结构接触。

公开(公告)号：CN118829222A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410468014.X

申请日：2024-04-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李慧美 ,  金承允 ,  金希锡 ,  李相在 ,  李在训 ,  林周永 ,  郑玟奎 ,  千相勋 ,  韩智勋

IPC: H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/40 ,  H10B41/27 ,  H10B41/35 ,  H10B41/41

Abstract: 本公开涉及半导体器件和包括其的数据存储系统。该半导体器件包括：板层；栅电极和层间绝缘层，在垂直于板层的上表面的第一方向上交替地堆叠在板层上，并且形成第一堆叠结构和在第一堆叠结构上的第二堆叠结构；沟道结构，穿透栅电极并且在第一方向上延伸；以及接触插塞，在第一方向上延伸并且电连接到栅电极之一，其中第二堆叠结构包括在最下部的第一栅电极、在第一栅电极上的第一层间绝缘层和在第一层间绝缘层上的第二层间绝缘层，第一层间绝缘层具有第一厚度，第二层间绝缘层具有小于第一厚度的第二厚度。