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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101582296A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200910128693.1
申请日：2009-03-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C23/00 , H01L27/108
Abstract: 本发明公开了机电开关及其形成方法。本发明提供了一种存储器装置，该存储器装置包括形成在存储器单元中的贮存节点、第一电极和第二电极，贮存节点贮存电荷，第一电极包括电连接到第二部分的第一部分，当第二电极被赋予能量时，第一部分移动以连接到贮存节点。
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公开(公告)号：CN101751992A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910252333.2
申请日：2009-12-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/401 , H01L27/108
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/108 , H01L27/10882 , H01L27/10885 , H01L27/10891 , H01L27/10897 , H01L28/40 , H01L29/685
Abstract: 本发明提供一种开关及其形成方法。一种存储器装置，其包括存储器单元，该存储器单元包括储存节点、第一电极和第二电极，该储存节点储存电荷，并且当第二电极通电时，第一电极移动从而连接至储存节点。
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公开(公告)号：CN101477986A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200810136694.6
申请日：2008-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L29/06 , H01L21/8238 , H01L21/265
CPC classification number: H01L29/7856 , H01L29/4925 , H01L29/4958 , H01L29/66795
Abstract: 本发明提供一种鳍式场效应晶体管(FinFET)及其制造方法。FinFET可以包括至少一个有源鳍、至少一个栅极绝缘层图案、第一电极图案、第二电极图案和至少一对源极/漏极扩张区。至少一个有源鳍可以形成在衬底上。至少一个栅极绝缘层图案可以形成在至少一个有源鳍上。第一电极图案可以形成在至少一个栅极绝缘层图案上。此外，第一电极图案可以与至少一个有源鳍交叉。第二电极图案可以形成在第一电极图案上。进一步地，第二电极图案的宽度可以大于第一电极图案的宽度。至少一对源极/漏极扩张区可以形成在第一电极图案的两侧的至少一个有源鳍的表面上。因此，FinFET可以具有提高的容量和减小的GIDL电流。
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公开(公告)号：CN101582296B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN200910128693.1
申请日：2009-03-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C23/00 , H01L27/108
Abstract: 本发明公开了机电开关及其形成方法。本发明提供了一种存储器装置，该存储器装置包括形成在存储器单元中的贮存节点、第一电极和第二电极，贮存节点贮存电荷，第一电极包括电连接到第二部分的第一部分，当第二电极被赋予能量时，第一部分移动以连接到贮存节点。
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公开(公告)号：CN101477986B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN200810136694.6
申请日：2008-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L29/06 , H01L21/8238 , H01L21/265
CPC classification number: H01L29/7856 , H01L29/4925 , H01L29/4958 , H01L29/66795
Abstract: 本发明提供一种鳍式场效应晶体管(FinFET)及其制造方法。FinFET可以包括至少一个有源鳍、至少一个栅极绝缘层图案、第一电极图案、第二电极图案和至少一对源极/漏极扩张区。至少一个有源鳍可以形成在衬底上。至少一个栅极绝缘层图案可以形成在至少一个有源鳍上。第一电极图案可以形成在至少一个栅极绝缘层图案上。此外，第一电极图案可以与至少一个有源鳍交叉。第二电极图案可以形成在第一电极图案上。进一步地，第二电极图案的宽度可以大于第一电极图案的宽度。至少一对源极/漏极扩张区可以形成在第一电极图案的两侧的至少一个有源鳍的表面上。因此，FinFET可以具有提高的容量和减小的GIDL电流。
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