公开(公告)号：CN103151456B

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201210523694.8

申请日：2012-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李学善 ,  渡嘉敷健 ,  金明哲 ,  权亨峻 ,  李相旻 ,  李佑澈 ,  郑明勋

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供了磁器件及其制造方法。该磁器件包括具有至少一个磁层的堆叠结构，该堆叠结构利用包括至少70体积百分比的含氢气体和至少2体积百分比的CO气体的蚀刻气体来蚀刻。

公开(公告)号：CN103151457A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201210524179.1

申请日：2012-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李佑澈 ,  渡嘉敷健 ,  权亨峻 ,  郑明勋

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L27/22 ,  C23F1/12

CPC classification number: C23F1/12 ,  C23F1/02 ,  C23F4/00 ,  G11B5/3163 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 一种制造磁性器件的方法包括：形成层叠结构，该层叠结构包括磁性层；通过使用蚀刻气体蚀刻该层叠结构，该蚀刻气体包括按体积计的至少80%的H2气体。

公开(公告)号：CN103151457B

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201210524179.1

申请日：2012-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李佑澈 ,  渡嘉敷健 ,  权亨峻 ,  郑明勋

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L27/22 ,  C23F1/12

CPC classification number: C23F1/12 ,  C23F1/02 ,  C23F4/00 ,  G11B5/3163 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 一种制造磁性器件的方法包括：形成层叠结构，该层叠结构包括磁性层；通过使用蚀刻气体蚀刻该层叠结构，该蚀刻气体包括按体积计的至少80%的H2气体。

公开(公告)号：CN103151456A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201210523694.8

申请日：2012-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李学善 ,  渡嘉敷健 ,  金明哲 ,  权亨峻 ,  李相旻 ,  李佑澈 ,  郑明勋

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/12 ,  B81C1/00531 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/3163 ,  H01L21/3065 ,  H01L27/228 ,  Y10T428/24479

Abstract: 本发明提供了磁器件及其制造方法。该磁器件包括具有至少一个磁层的堆叠结构，该堆叠结构利用包括至少70体积百分比的含氢气体和至少2体积百分比的CO气体的蚀刻气体来蚀刻。