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公开(公告)号：CN108987477B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN201810509771.1
申请日：2018-05-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 可以提供一种垂直隧穿场效应晶体管(VTFET)及其方法，所述VTFET包括：从包括源极/漏极区域的衬底突出的鳍结构；所述鳍结构上的外延生长的源极/漏极结构；包括柱部的帽，所述柱部覆盖所述外延生长的源极/漏极结构的侧表面并且部分覆盖所述鳍结构的上部的侧表面；栅极绝缘体，所述栅极绝缘体覆盖所述帽的所述柱部下方的所述鳍结构的侧表面的剩余部分；所述栅极绝缘体上的功函数金属栅极；以及分离图案，所述分离图案围绕鳍结构的下部使得所述功函数金属栅极垂直地位于所述帽与所述分离图案之间，所述分离图案将所述功函数金属栅极与所述源极/漏极区域电隔离。
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公开(公告)号：CN108807277B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN201810374721.7
申请日：2018-04-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本发明提供一种栅极环绕半导体器件及其制作方法。所述方法包括：提供如下所述的半导体衬底，栅极开口包括有源鳍与一个相邻的栅极环绕沟道之间以及两个相邻的栅极环绕沟道之间的栅极空间；在第一及第二区中在栅极开口的底部及侧壁上及在栅极环绕沟道上及围绕栅极环绕沟道形成填充栅极空间的第一部分的介电层；在第一及第二区中在介电层上形成填充栅极空间的第一功函数金属；在第一及第二区中形成第一碳基掩模以覆盖栅极环绕沟道；在第一及第二区中在第一碳基掩模上形成第二碳基掩模至高于栅极开口；移除第二区中的第一及第二碳基掩模；使用第一及第二碳基掩模进行蚀刻移除第二区中的第一功函数金属；移除第一及第二碳基掩模；形成第二功函数金属。
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公开(公告)号：CN108008917A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711036659.2
申请日：2017-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
CPC classification number: G06F1/3215 , G06F1/3228 , G06F1/3234 , G06F1/325 , G06F1/3253 , G06F1/3287 , G06F2213/00 , Y02D10/151 , G06F3/061 , G06F3/0634 , G06F3/0655
Abstract: 一种根据本发明构思的控制存储设备的通信端口的链接状态的方法，包括：将通信端口的链接状态设定为可与主机交换数据的链接活动状态，在所述通信端口的链接状态中确定第一备用状态的保持时间，将所述通信端口的链接状态改变为第一备用状态，监控从转变为第一备用状态的时间开始的保持时间期间是否发生退出事件；以及响应于在所述保持时间期间不发生所述退出事件，将所述通信端口的链接状态改变为第二备用状态。从第一备用状态到链接活动状态的恢复时间比从第二备用状态到链接活动状态的恢复时间更短。
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公开(公告)号：CN116072674A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211326451.5
申请日：2022-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括在第一方向上延伸的有源区；栅电极，在第二方向上延伸并与有源区交叉，栅电极包括第一电极层和第二电极层；沟道层，在第三方向上彼此间隔开，并且至少部分地被栅电极围绕；源极/漏极区，在栅电极的每一侧有至少一个源极/漏极区，源极/漏极区与沟道层电连接；以及气隙区，沿第三方向在沟道层之间以及最下面的沟道层与有源区之间位于第二电极层中。第一电极层或第二电极层在沟道层的在第三方向上相邻的沟道层之间具有第一厚度，并且在沟道层的侧表面上具有大于第一厚度的第二厚度。
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公开(公告)号：CN110610864A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910495345.1
申请日：2019-06-10
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 提供了形成垂直场效应晶体管(VFET)器件的方法。所述方法可以包括：形成从衬底的上表面沿竖直方向突出的沟道区；在所述沟道区的侧面上形成栅极绝缘体层；在形成所述栅极绝缘体层之后，在所述沟道区上形成顶部源极/漏极；以及在所述栅极绝缘体层上形成栅电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108987477A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810509771.1
申请日：2018-05-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 可以提供一种垂直隧穿场效应晶体管(VTFET)及其方法，所述VTFET包括：从包括源极/漏极区域的衬底突出的鳍结构；所述鳍结构上的外延生长的源极/漏极结构；包括柱部的帽，所述柱部覆盖所述外延生长的源极/漏极结构的侧表面并且部分覆盖所述鳍结构的上部的侧表面；栅极绝缘体，所述栅极绝缘体覆盖所述帽的所述柱部下方的所述鳍结构的侧表面的剩余部分；所述栅极绝缘体上的功函数金属栅极；以及分离图案，所述分离图案围绕鳍结构的下部使得所述功函数金属栅极垂直地位于所述帽与所述分离图案之间，所述分离图案将所述功函数金属栅极与所述源极/漏极区域电隔离。
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公开(公告)号：CN110610864B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN201910495345.1
申请日：2019-06-10
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 提供了形成垂直场效应晶体管(VFET)器件的方法。所述方法可以包括：形成从衬底的上表面沿竖直方向突出的沟道区；在所述沟道区的侧面上形成栅极绝缘体层；在形成所述栅极绝缘体层之后，在所述沟道区上形成顶部源极/漏极；以及在所述栅极绝缘体层上形成栅电极。
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公开(公告)号：CN105720092B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201510953933.7
申请日：2015-12-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L21/28
Abstract: 本公开提供了半导体器件以及制造该半导体器件的方法，该半导体器件配置为通过在势垒层之间形成氧化物层来阻挡物理扩散路径从而防止杂质通过势垒层之间的物理扩散路径扩散。该半导体器件包括：栅绝缘层，形成在基板上；第一势垒层，形成在栅绝缘层上；氧化物层，形成在第一势垒层上，该氧化物层包括通过氧化第一势垒层中包含的材料而形成的氧化物；第二势垒层，形成在氧化物层上；栅电极，形成在第二势垒层上；以及源极/漏极，在基板中设置在栅电极的相反两侧。
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公开(公告)号：CN108807277A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810374721.7
申请日：2018-04-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本发明提供一种栅极环绕半导体器件及其制作方法。所述方法包括：提供如下所述的半导体衬底，栅极开口包括有源鳍与一个相邻的栅极环绕沟道之间以及两个相邻的栅极环绕沟道之间的栅极空间；在第一及第二区中在栅极开口的底部及侧壁上及在栅极环绕沟道上及围绕栅极环绕沟道形成填充栅极空间的第一部分的介电层；在第一及第二区中在介电层上形成填充栅极空间的第一功函数金属；在第一及第二区中形成第一碳基掩模以覆盖栅极环绕沟道；在第一及第二区中在第一碳基掩模上形成第二碳基掩模至高于栅极开口；移除第二区中的第一及第二碳基掩模；使用第一及第二碳基掩模进行蚀刻移除第二区中的第一功函数金属；移除第一及第二碳基掩模；形成第二功函数金属。
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公开(公告)号：CN108008917B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN201711036659.2
申请日：2017-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 一种根据本发明构思的控制存储设备的通信端口的链接状态的方法，包括：将通信端口的链接状态设定为可与主机交换数据的链接活动状态，在所述通信端口的链接状态中确定第一备用状态的保持时间，将所述通信端口的链接状态改变为第一备用状态，监控从转变为第一备用状态的时间开始的保持时间期间是否发生退出事件；以及响应于在所述保持时间期间不发生所述退出事件，将所述通信端口的链接状态改变为第二备用状态。从第一备用状态到链接活动状态的恢复时间比从第二备用状态到链接活动状态的恢复时间更短。
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