公开(公告)号：CN101299440A

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200810086977.4

申请日：2008-04-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文昌郁 ,  田重锡 ,  李正贤 ,  李来寅 ,  朴连植 ,  李化成 ,  李浩 ,  赵世泳 ,  金锡必

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66439 ,  B82Y10/00 ,  B82Y15/00 ,  H01L21/02365 ,  H01L21/02601 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7839 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/426 ,  H01L2221/1094

Abstract: 本发明提供了一种具有至少一个Ge纳米棒的场效应晶体管以及场效应晶体管的制造方法。该场效应晶体管可以包括：栅极氧化物层，形成在硅基底上；至少一个Ge纳米棒，埋入在栅极氧化物层中，其中，Ge纳米棒的两端被暴露；源电极和漏电极，连接到至少一个Ge纳米棒的相对侧；栅电极，在源电极和漏电极之间形成在栅极氧化物层上。