公开(公告)号：CN118197991A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202311697273.1

申请日：2023-12-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴志䛵 ,  李正韩 ,  千宽永

IPC: H01L21/768

Abstract: 一种形成半导体装置的图案的方法，该方法包括：在具有第一区和第二区的衬底上形成绝缘膜；在绝缘膜上按次序形成下掩模层和上掩模层；在上掩模层上在第一区和第二区中分别形成具有相同宽度的多个窄开口的线形硬掩模图案；在线形硬掩模图案的开口的侧壁上形成线形间隔件；通过去除线形硬掩模图案中的具有第二宽度的图案形成由间隔件和线形硬掩模图案中的具有第一宽度的图案组成的复合掩模图案，第二宽度小于第一宽度。

公开(公告)号：CN119997600A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202410933661.3

申请日：2024-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴志䛵 ,  李正韩

IPC: H10D84/85 ,  H01L23/544 ,  H10D84/03

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括逻辑单元区域和套刻键区域，所述逻辑单元区域包括在第一方向上间隔开并且在不同于所述第一方向的第二方向上延伸的有源图案，所述套刻键区域包括背侧键图案和前侧键图案；源极/漏极图案，位于所述逻辑单元区域的所述有源图案上并且在所述第二方向上间隔开；沟道图案，位于所述源极/漏极图案之间；以及栅极图案，在所述第一方向上延伸、在所述源极/漏极图案之间横穿并且围绕所述沟道图案的至少一部分，其中，所述衬底具有在不同于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上彼此背离的上表面和下表面，并且所述套刻键区域的所述背侧键图案延伸到所述衬底的所述下表面中。

公开(公告)号：CN118412351A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202311375926.4

申请日：2023-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴志䛵 ,  黄东勋 ,  黄寅灿 ,  金孝珍 ,  林载炯

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/06

Abstract: 一种三维堆叠场效应晶体管可以包括：包括第一后侧电源线和第二后侧电源线的后侧布线层、在后侧布线层上的第一场效应晶体管、在第一场效应晶体管上方的第二场效应晶体管、在第二场效应晶体管上方的前侧布线层、将第一场效应晶体管连接到第二场效应晶体管的第一贯通电极、以及连接前侧电源线和后侧电源线的第二贯通电极。前侧布线层可以在第一方向上延伸，并且可以包括连接到第二后侧电源线的前侧电源线。第一场效应晶体管和第二场效应晶体管可以共享在第二方向上延伸的栅极。第一场效应晶体管和第二场效应晶体管中的每一个可以包括在第一方向上分别位于栅极的两侧的源极和漏极、以及在源极和漏极之间并且被栅极围绕的沟道。

公开(公告)号：CN119545898A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202410532392.X

申请日：2024-04-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴志䛵 ,  姜秉柱 ,  林载炯 ,  千宽永 ,  崔秀斌

IPC: H10D84/85 ,  H10D84/03

Abstract: 一种三维半导体器件可以包括：背面金属层；下沟道图案，在背面金属层上；第一下源/漏图案和第二下源/漏图案，在第一方向上彼此间隔开，下沟道图案介于第一下源/漏图案与第二下源/漏图案之间，第一下源/漏图案连接到下沟道图案；上沟道图案，在下沟道图案上；第一上源/漏图案，在第一下源/漏图案上，第一上源/漏图案连接到上沟道图案；第二上源/漏图案，在第二下源/漏图案上；以及宽过孔，将第一上源/漏图案电连接到第二下源/漏图案。宽过孔可以包括具有第一顶表面的第一过孔部分和具有第二顶表面的第二过孔部分，并且这里，第二顶表面可以处于比第一顶表面低的水平处。