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公开(公告)号：CN115050752A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210219026.X
申请日：2022-03-08
IPC: H01L27/1159 , H01L27/11597
Abstract: 提供了具有三维堆叠结构的半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：多个沟道结构，在基板上并布置成三维阵列；多个栅电极，在平行于基板的方向上延伸；以及多个源电极和漏电极，在垂直于基板的方向上延伸。栅电极连接到在平行于基板的方向上排列的沟道结构，源电极和漏电极连接到在垂直于基板的方向上排列的沟道结构。沟道结构包括沟道层和在沟道层上的铁电层。
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公开(公告)号：CN104414667A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410448597.6
申请日：2014-09-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H05G1/30 , G01N23/04 , G01T1/24 , G03G15/222 , H01L27/14676
Abstract: 本发明提供去除残余电荷的方法、使用其的X射线成像方法和装置。该去除来自光导体材料的残余电荷的方法包括：在将X射线照射到该光导体材料上的采集操作期间向该光导体材料施加第一电压以形成静电场；以及在去除操作期间向该光导体材料施加第二电压以减少其中残余电荷的量，第二电压与第一电压不同。在一个或多个示例实施例中，该光导体材料可以包括碘化汞(HgI2)。
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公开(公告)号：CN101740694A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910225274.X
申请日：2009-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/12
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/12
Abstract: 本发明公开了一种发光器件及其制造方法。本发明提供一种采用晶片接合方法制造的发光二极管(LED)以及通过采用晶片接合方法制造LED的方法。晶片接合方法可以包括在半导体层和接合基板之间插设由金属形成的应力弛豫层。当采用应力弛豫层时，由于金属的柔性，接合基板和生长基板之间的应力可以被抵消，并且由此可以减少或防止接合基板的弯曲或翘曲。
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公开(公告)号：CN101714870A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910175707.5
申请日：2009-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03K19/20 , H03K19/094
CPC classification number: H01L27/0883 , H01L27/1203
Abstract: 本发明提供了一种反相器、操作反相器的方法以及包括反相器的逻辑电路。所述反相器可包括负载晶体管和驱动晶体管，负载晶体管和驱动晶体管中的至少一个可具有双栅结构。负载晶体管或驱动晶体管的阈值电压可通过双栅结构来调整，从而反相器可以是增强/耗尽(E/D)型反相器。
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公开(公告)号：CN102655159B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201210046691.X
申请日：2012-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14676 , H01L27/14618 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种大型X射线探测器，该X射线探测器包括：在印刷电路板上的多个芯片，所述多个芯片中的每个芯片包括在所述印刷电路板的中央部分上的多个像素焊盘和围绕所述多个像素焊盘的多个引脚焊盘；布置在所述多个芯片上且与所述多个芯片相应的多个像素电极；电连接所述多个像素电极和所述多个像素焊盘的再分配层；在一表面上的多个第一电极焊盘，所述表面与所述多个芯片的包括所述多个引脚焊盘的表面相反；电连接所述多个第一电极焊盘和所述多个引脚焊盘的布线；形成在所述多个像素电极上的光电导体；以及形成在所述光电导体上的公共电极。
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公开(公告)号：CN101630692B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN200910140008.7
申请日：2009-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/12 , H01L29/267
Abstract: 本发明公开了一种沟道层和一种包括该沟道层的晶体管。所述沟道层可以包括多层结构。形成所述沟道层的层可以具有不同的迁移率和/或载流子密度。所述沟道层可以具有包括可以由不同的氧化物形成的上层和下层的双层结构。所述晶体管的特性可以根据用于形成下层和上层的材料及其厚度而变化。
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公开(公告)号：CN101527318B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN200810179474.1
申请日：2008-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/02 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种晶体管及其制造方法。根据示例实施例的晶体管可以包括：沟道层；源极和漏极，分别接触沟道层的端部；栅电极，与沟道层分开；栅极绝缘层，设置在沟道层和栅电极之间；和/或插入层，形成在沟道层和栅极绝缘层之间。插入层的功函数可以与沟道层的功函数不同。
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公开(公告)号：CN103022066A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210349575.5
申请日：2012-09-19
IPC: H01L27/146 , H04N5/32
Abstract: 根据示例实施例，一种图像传感器包括被配置为放大由感测单元感测到的电荷的电荷感测放大器。所述电荷感测放大器包括输入端、放大端、输出端、连接在输入端和放大端之间的第一电容器、连接在输入端和放大端之间的第一开关、连接在放大端和输出端之间的第二电容器、以及连接在输出端和参考电压端之间的第二开关。
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公开(公告)号：CN102655159A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201210046691.X
申请日：2012-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14676 , H01L27/14618 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种大型X射线探测器，该X射线探测器包括：在印刷电路板上的多个芯片，所述多个芯片中的每个芯片包括在所述印刷电路板的中央部分上的多个像素焊盘和围绕所述多个像素焊盘的多个引脚焊盘；布置在所述多个芯片上且与所述多个芯片相应的多个像素电极；电连接所述多个像素电极和所述多个像素焊盘的再分配层；在一表面上的多个第一电极焊盘，所述表面与所述多个芯片的包括所述多个引脚焊盘的表面相反；电连接所述多个第一电极焊盘和所述多个引脚焊盘的布线；形成在所述多个像素电极上的光电导体；以及形成在所述光电导体上的公共电极。
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