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公开(公告)号：CN111223822B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN201911138628.7
申请日：2019-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/48
Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：连接结构，包括绝缘层、设置在所述绝缘层上的重新分布层和贯穿所述绝缘层并且连接到所述重新分布层的连接过孔；半导体芯片，具有设置有连接焊盘的有效表面和与所述有效表面背对的无效表面并且所述有效表面设置在所述连接结构上以面对所述连接结构；以及包封剂，覆盖所述半导体芯片的至少一部分，其中，所述半导体芯片包括形成在所述有效表面中的槽，并且所述槽具有这样的形状：位于比所述有效表面更靠近所述半导体芯片的中央部分的内部区域的至少一部分的区域的宽度大于入口区域的宽度。
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公开(公告)号：CN111199964B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201911098650.3
申请日：2019-11-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供一种封装模块，所述封装模块包括：芯结构，包括虚设构件、设置在所述虚设构件周围的一个或更多个电子组件以及覆盖所述虚设构件和所述电子组件中的每个的至少一部分的绝缘材料，所述芯结构包括穿过所述虚设构件和所述绝缘材料的第一贯穿孔；半导体芯片，设置在所述第一贯穿孔中，并且具有其上设置有连接垫的有效表面和无效表面；包封剂，覆盖所述芯结构和所述半导体芯片中的每个的至少一部分，并填充所述第一贯穿孔的至少一部分；以及连接结构，设置在所述芯结构和所述有效表面上，并且包括电连接到所述电子组件和所述连接垫的重新分布层。
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公开(公告)号：CN111199964A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201911098650.3
申请日：2019-11-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供一种封装模块，所述封装模块包括：芯结构，包括虚设构件、设置在所述虚设构件周围的一个或更多个电子组件以及覆盖所述虚设构件和所述电子组件中的每个的至少一部分的绝缘材料，所述芯结构包括穿过所述虚设构件和所述绝缘材料的第一贯穿孔；半导体芯片，设置在所述第一贯穿孔中，并且具有其上设置有连接垫的有效表面和无效表面；包封剂，覆盖所述芯结构和所述半导体芯片中的每个的至少一部分，并填充所述第一贯穿孔的至少一部分；以及连接结构，设置在所述芯结构和所述有效表面上，并且包括电连接到所述电子组件和所述连接垫的重新分布层。
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公开(公告)号：CN113013117A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202011348008.9
申请日：2020-11-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/56
Abstract: 提供了一种半导体器件和具有其的半导体封装件。所述半导体器件包括：半导体芯片，所述半导体芯片具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；第一散热构件，所述第一散热构件位于所述半导体芯片的所述第二表面上，所述第一散热构件具有在垂直于所述第二表面的方向上的第一垂直热导率和在平行于所述第二表面的方向上的第一水平热导率，所述第一垂直热导率小于所述第一水平热导率；以及第二散热构件，所述第二散热构件包括穿过所述第一散热构件的垂直图案，所述第二散热构件具有大于所述第一散热构件的所述第一垂直热导率的第二垂直热导率。
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公开(公告)号：CN111223822A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201911138628.7
申请日：2019-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/48
Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：连接结构，包括绝缘层、设置在所述绝缘层上的重新分布层和贯穿所述绝缘层并且连接到所述重新分布层的连接过孔；半导体芯片，具有设置有连接焊盘的有效表面和与所述有效表面背对的无效表面并且所述有效表面设置在所述连接结构上以面对所述连接结构；以及包封剂，覆盖所述半导体芯片的至少一部分，其中，所述半导体芯片包括形成在所述有效表面中的槽，并且所述槽具有这样的形状：位于比所述有效表面更靠近所述半导体芯片的中央部分的内部区域的至少一部分的区域的宽度大于入口区域的宽度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110137149A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910109734.6
申请日：2019-02-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/485 , H01L23/31
Abstract: 本发明提供了一种扇出型半导体封装件。所述扇出型半导体封装件包括：框架，包括绝缘层、布线层和连接过孔层，并且所述框架具有凹部以及设置在所述凹部的底表面上的止挡层；半导体芯片，设置在所述凹部中；树脂层，设置在所述半导体芯片的有效表面上；包封剂，覆盖所述半导体芯片的侧表面和所述树脂层的侧表面的至少部分并且填充所述凹部的至少部分；第一重新分布层，设置在所述树脂层和所述包封剂上；第一重新分布过孔，穿过所述树脂层以填充所述树脂层中的使所述连接焊盘的至少部分暴露的通路孔，并使所述连接焊盘和所述第一重新分布层彼此电连接；以及连接构件，设置在所述树脂层和所述包封剂上，并且包括一个或更多个第二重新分布层。
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公开(公告)号：CN110137149B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN201910109734.6
申请日：2019-02-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/485 , H01L23/31
Abstract: 本发明提供了一种扇出型半导体封装件。所述扇出型半导体封装件包括：框架，包括绝缘层、布线层和连接过孔层，并且所述框架具有凹部以及设置在所述凹部的底表面上的止挡层；半导体芯片，设置在所述凹部中；树脂层，设置在所述半导体芯片的有效表面上；包封剂，覆盖所述半导体芯片的侧表面和所述树脂层的侧表面的至少部分并且填充所述凹部的至少部分；第一重新分布层，设置在所述树脂层和所述包封剂上；第一重新分布过孔，穿过所述树脂层以填充所述树脂层中的使所述连接焊盘的至少部分暴露的通路孔，并使所述连接焊盘和所述第一重新分布层彼此电连接；以及连接构件，设置在所述树脂层和所述包封剂上，并且包括一个或更多个第二重新分布层。
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公开(公告)号：CN111223823A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201911138779.2
申请日：2019-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供一种半导体芯片和半导体封装件，所述半导体封装件包括连接结构、半导体芯片和包封剂。所述连接结构包括：绝缘层；重新分布层，设置在所述绝缘层上；以及连接过孔，贯穿所述绝缘层并且连接到所述重新分布层。所述半导体芯片具有设置有连接焊盘的有效表面和与所述有效表面背对的无效表面，并且所述有效表面设置在所述连接结构上以面对所述连接结构。所述包封剂覆盖所述半导体芯片的至少一部分。所述半导体芯片包括形成在所述有效表面中的槽和围绕所述有效表面中的所述槽设置的坝结构。
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公开(公告)号：CN109727965B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN201810398245.2
申请日：2018-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种扇出型半导体封装模块及其制造方法。所述扇出型半导体封装模块包括具有第一通孔和第二通孔的芯构件。半导体芯片位于所述第一通孔中，并且包括具有连接焊盘的有效表面和与所述有效表面背对的无效表面。另一无源组件位于所述第二通孔中。第一包封件覆盖所述芯构件和所述无源组件的至少部分并且填充所述第二通孔的至少部分。增强构件位于所述第一包封件上。第二包封件覆盖所述半导体芯片的至少部分并且填充所述第一通孔的至少部分。连接构件位于所述芯构件、所述半导体芯片的所述有效表面以及所述无源组件上，并且包括电连接到所述连接焊盘和所述无源组件的重新分布层。
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