公开(公告)号：CN117956801A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202311412567.5

申请日：2023-10-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金振赫 ,  成玎镛 ,  申重植 ,  韩智勋

IPC: H10B41/35 ,  H10B41/27 ,  H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  G11C5/02 ,  G11C5/06

Abstract: 一种半导体器件，包括：具有第一和第二区域的衬底；第一堆叠结构，包括在第一区域中在第一方向上堆叠的下部栅电极；穿透第一堆叠结构的第一沟道结构；第二堆叠结构，在第一堆叠结构和第一沟道结构上，并且包括在第一方向上堆叠的上部栅电极；穿透第二堆叠结构的第二沟道结构；第一模结构，包括在第二区域中堆叠的下部水平牺牲层；穿透第一模结构的对准结构；以及第二模结构，在第一模结构和对准结构上，并且包括堆叠的上部水平牺牲层，其中下部水平牺牲层的数量少于下部栅电极的数量。

公开(公告)号：CN114446992A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111280096.8

申请日：2021-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金承允 ,  成玎镛 ,  千相勋 ,  金智焕 ,  郑圣熙 ,  韩智勋

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/11568

Abstract: 一种半导体器件，包括：图案结构；堆叠结构，包括在所述图案结构上在第一区域中堆叠并延伸到第二区域中的栅极层；存储器竖直结构，在所述第一区域中穿透所述堆叠结构；栅极接触插塞，在所述第二区域中电连接到所述栅极层；以及第一外围接触插塞，与所述栅极层间隔开，所述栅极层包括第一栅极层，所述栅极接触插塞包括电连接到所述第一栅极层的第一栅极接触插塞，所述第一栅极接触插塞和所述第一外围接触插塞的侧表面具有不同数量的上弯曲部，并且所述第一栅极接触插塞的侧表面的上弯曲部的数量大于所述第一外围接触插塞的侧表面的上弯曲部的数量。

公开(公告)号：CN118943171A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410565769.1

申请日：2024-05-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴京恩 ,  郭率美 ,  金振赫 ,  金亨珍 ,  成玎镛 ,  申旻树 ,  辛承俊 ,  申重植 ,  郑圣熙 ,  韩智勋

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/08 ,  H10B80/00

Abstract: 一种垂直存储器件可以包括：在基板上的公共源极板，包括第一区域和第二区域；栅极图案结构，在公共源极板上并从第一区域延伸到第二区域，其中栅极图案结构包括栅极图案和第一绝缘层，其中相邻的栅极图案结构彼此间隔开；第一分隔图案，填充在第一区域上在相邻的栅极图案结构之间的第一开口；第二分隔图案，填充在第二区域上在相邻的栅极图案结构之间的第二开口，其中第二分隔图案中的至少一个连接到第一分隔图案中的至少一个，以及其中第二分隔图案具有与第一分隔图案的形状不同的形状；以及沟道结构，穿过在第一区域上的栅极图案结构。