公开(公告)号：CN106406021B

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN201610623699.6

申请日：2016-08-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑镛席 ,  全桓徹 ,  金炳局 ,  崔在爀 ,  权星元

IPC: G03F1/48 ,  G03F1/62 ,  B82Y40/00

Abstract: 本公开提供了保护膜以及包括该保护膜的光掩模组件。一种保护膜包括保护膜隔膜，该保护膜隔膜包括多孔膜。该多孔膜包括多个纳米线，该多个纳米线彼此交叉地布置以形成网状结构。光掩模组件包括保护膜和光掩模，其中保护膜被固定到光掩模的表面。

公开(公告)号：CN106406021A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610623699.6

申请日：2016-08-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑镛席 ,  全桓徹 ,  金炳局 ,  崔在爀 ,  权星元

IPC: G03F1/48 ,  G03F1/62 ,  B82Y40/00

CPC classification number: G03F1/64 ,  G03F1/62 ,  G03F1/48 ,  B82Y40/00

Abstract: 本公开提供了保护膜以及包括该保护膜的光掩模组件。一种保护膜包括保护膜隔膜，该保护膜隔膜包括多孔膜。该多孔膜包括多个纳米线，该多个纳米线彼此交叉地布置以形成网状结构。光掩模组件包括保护膜和光掩模，其中保护膜被固定到光掩模的表面。

公开(公告)号：CN106154766A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201610290516.3

申请日：2016-05-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全桓彻 ,  金文子 ,  权星元 ,  金炳局 ,  R.查利克 ,  郑镛席 ,  崔在爀

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种用于包括极紫外线(EUV)光刻的光刻工艺的保护膜可以减轻在保护膜的隔膜中的热积累。保护膜包括隔膜和在隔膜的至少一个表面上的至少一个热缓冲层。热缓冲层的发射率可以大于隔膜的发射率。热缓冲层的碳含量可以大于隔膜的碳含量。多个热缓冲层可以在隔膜的分开的表面上，热缓冲层可具有不同的性能。盖层可以在至少一个热缓冲层上，盖层可以包括抗氢材料。热缓冲层可以在隔膜的表面的某些部分或全部之上延伸。热缓冲层可以在至少两个隔膜之间。

公开(公告)号：CN106154766B

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201610290516.3

申请日：2016-05-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全桓彻 ,  金文子 ,  权星元 ,  金炳局 ,  R.查利克 ,  郑镛席 ,  崔在爀

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种用于包括极紫外线(EUV)光刻的光刻工艺的保护膜可以减轻在保护膜的隔膜中的热积累。保护膜包括隔膜和在隔膜的至少一个表面上的至少一个热缓冲层。热缓冲层的发射率可以大于隔膜的发射率。热缓冲层的碳含量可以大于隔膜的碳含量。多个热缓冲层可以在隔膜的分开的表面上，热缓冲层可具有不同的性能。盖层可以在至少一个热缓冲层上，盖层可以包括抗氢材料。热缓冲层可以在隔膜的表面的某些部分或全部之上延伸。热缓冲层可以在至少两个隔膜之间。