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公开(公告)号：CN1561457A
公开(公告)日：2005-01-05
申请号：CN02819301.6
申请日：2002-12-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02B5/30 , G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/133536 , G02F1/133555 , G02F1/133615 , G02F2001/133545 , G02F2001/133567
Abstract: 公开了一种透射反射式LCD。在该LCD中，第二基底面对第一基底。液晶层形成在第一和第二基底之间。第一偏振片形成在第一基底的外表面上。第二偏振片形成在第二基底的外表面上，该外表面与第二基底的内表面相对。背光组件设置在第一偏振片的后侧。在第一偏振片和背光组件之间设置透明的半透射半反射膜，透明的半透射半反射膜有多层，具有不同折射率的第一层和第二层彼此交错叠置，透明的半透射半反射膜部分反射和部分透射入射光。通过在半透射半反射膜和背光组件之间发生的回收过程，预定量的入射光反复透过半透射半反射膜，使得透射率和光效率提高。
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公开(公告)号：CN100416366C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN02819301.6
申请日：2002-12-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02B5/30
CPC classification number: G02F1/133536 , G02F1/133555 , G02F1/133615 , G02F2001/133545 , G02F2001/133567
Abstract: 公开了一种透射反射式LCD。在该LCD中，第二基底面对第一基底。液晶层形成在第一和第二基底之间。第一偏振片形成在第一基底的外表面上。第二偏振片形成在第二基底的外表面上，该外表面与第二基底的内表面相对。背光组件设置在第一偏振片的后侧。在第一偏振片和背光组件之间设置透明的半透射半反射膜，透明的半透射半反射膜有多层，具有不同折射率的第一层和第二层彼此交错叠置，透明的半透射半反射膜部分反射和部分透射入射光。通过在半透射半反射膜和背光组件之间发生的回收过程，预定量的入射光反复透过半透射半反射膜，使得透射率和光效率提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101013226A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200710085491.4
申请日：2002-12-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/133 , G09G3/36
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F1/133536 , G02F1/133615 , G02F2001/133545 , G02F2001/133567
Abstract: 公开了一种透射反射式LCD。在该LCD中，第二基底面对第一基底。液晶层形成在第一和第二基底之间。第一偏振片形成在第一基底的外表面上。第二偏振片形成在第二基底的外表面上，该外表面与第二基底的内表面相对。背光组件设置在第一偏振片的后侧。在第一偏振片和背光组件之间设置透明的半透射半反射膜，透明的半透射半反射膜有多层，具有不同折射率的第一层和第二层彼此交错叠置，透明的半透射半反射膜部分反射和部分透射入射光。通过在半透射半反射膜和背光组件之间发生的回收过程，预定量的入射光反复透过半透射半反射膜，使得透射率和光效率提高。
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公开(公告)号：CN1517771A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN200410000993.9
申请日：2004-01-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/00
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1288
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：在绝缘基板上形成的栅极线；在栅极导电层上形成的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成的半导体层；在栅极绝缘层上形成且包括源极的数据线；至少部分形成在半导体层上的漏极；形成在数据线和漏极上且具有至少部分露出漏极和栅极绝缘层部分的第一接触孔的钝化层；形成在钝化层上并通过第一接触孔连接漏极及栅极绝缘层的露出部分的像素电极。
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公开(公告)号：CN1139837C
公开(公告)日：2004-02-25
申请号：CN99120542.1
申请日：1999-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/1362 , G02F1/136227 , G02F2001/136236 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/41733 , H01L29/458 , Y10S438/942 , Y10S438/947 , Y10S438/949
Abstract: 一种液晶显示器用薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括：通过第一光刻工艺，在绝缘基板上形成栅极布线；通过第二光刻工艺，在栅极布线及基板上，形成包括栅绝缘层、半导体层、接触层及数据导体层的四重层；通过第三光刻工艺，在数据导体层上形成导电图案；对没有被导电图案覆盖的数据导体层蚀刻，从而形成数据布线；对没有被数据布线覆盖的接触层蚀刻；和通过第四光刻工艺，在导电图案上形成钝化层图案的步骤。
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公开(公告)号：CN100399169C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200410000993.9
申请日：2004-01-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/00
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1288
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：在绝缘基板上形成的栅极线；在栅极导电层上形成的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成的半导体层；在栅极绝缘层上形成且包括源极的数据线；至少部分形成在半导体层上的漏极；形成在数据线和漏极上且具有至少部分露出漏极和栅极绝缘层部分的第一接触孔的钝化层；形成在钝化层上并通过第一接触孔连接漏极及栅极绝缘层的露出部分的像素电极。
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公开(公告)号：CN1251914A
公开(公告)日：2000-05-03
申请号：CN99120542.1
申请日：1999-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/1362 , G02F1/136227 , G02F2001/136236 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/41733 , H01L29/458 , Y10S438/942 , Y10S438/947 , Y10S438/949
Abstract: 一种液晶显示器用薄膜晶体管阵列基板的制造方法,包括:通过第一光刻工艺,在绝缘基板上形成栅极布线;通过第二光刻工艺,在栅极布线及基板上,形成包括栅绝缘层、半导体层、接触层及数据导体层的四重层;通过第三光刻工艺,在数据导体层上形成导电图案;对没有被导电图案覆盖的数据导体层蚀刻,从而形成数据布线;对没有被数据布线覆盖的接触层蚀刻;和通过第四光刻工艺,在导电图案上形成钝化层图案的步骤。
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