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公开(公告)号：CN110391266A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910302589.3
申请日：2019-04-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/22
Abstract: 提供了一种半导体器件，其包括：位于衬底上的栅极结构；源极接触和漏极接触，分别位于栅极结构的相对侧处，并连接到衬底；磁隧道结，连接到漏极接触；第一导线，连接到源极接触；以及第二导线，通过第一通路接触连接到第一导线。第二导线相对于第一导线远离衬底。第一导线和第二导线沿第一方向平行地延伸。第一导线和第二导线在与第一方向交叉的第二方向上具有宽度。第一导线的宽度和第二导线的宽度相同。第一通路接触沿与衬底的顶表面垂直的第三方向与源极接触对齐。
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公开(公告)号：CN107452870A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710303448.4
申请日：2017-05-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/02 , H01L27/222 , H01L43/12 , H01L43/08
Abstract: 一种数据存储器件以及用于制造该数据存储器件的方法提供一种具有优异可靠性且易于制造的数据存储器件。该数据存储器件包括：包括单元区和外围电路区的衬底；在外围电路区上的第一导电线；在衬底与第一导电线之间的外围接触插塞，外围接触插塞与第一导电线接触；在单元区上的第二导电线；在衬底与第二导电线之间的多个数据存储结构；以及在衬底与数据存储结构的每个之间以及在衬底与外围接触插塞之间的布线结构。第一导电线包括自衬底具有比第二导电线的底表面的位置更低的位置的底表面。
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公开(公告)号：CN109037433B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN201810586433.8
申请日：2018-06-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种磁存储器件及其制造方法。该磁存储器件包括：底电极，在衬底上；磁隧道结图案，包括顺序地堆叠在底电极上的第一磁性图案、隧道势垒图案和第二磁性图案；以及顶电极，在磁隧道结图案上。底电极包括第一底电极和在第一底电极上的第二底电极。第一底电极和第二底电极中的每个包括金属氮化物。第一底电极具有比第二底电极的结晶度高的结晶度。
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公开(公告)号：CN108987566B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN201810557716.X
申请日：2018-06-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，包括存储单元区域和逻辑区域；在存储单元区域上的可变电阻存储器件；在逻辑区域上的逻辑器件；第一水平位线，其在存储单元区域上在衬底的表面上在水平方向上延伸并电连接到可变电阻存储器件；第二水平位线，其在逻辑区域上在衬底的表面上在水平方向上延伸并电连接到逻辑器件；以及垂直位线，其电连接到第一水平位线和第二水平位线并垂直于衬底的表面延伸。
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公开(公告)号：CN110660423A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910548748.8
申请日：2019-06-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
Abstract: 公开了一种存储器设备。该存储器设备包括：包括目标单元的存储单元阵列；驱动字线的行解码器；以及被配置为驱动位线和源极线的写入驱动器与感测放大器。行解码器被配置为在第一编程操作和第二编程操作中驱动字线。在第一编程操作开始和第二编程操作结束之间，写入驱动器与感测放大器被配置为连续地用第二驱动电压驱动连接到目标单元的位线或用第三驱动电压驱动连接到目标单元的源极线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109037433A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810586433.8
申请日：2018-06-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种磁存储器件及其制造方法。该磁存储器件包括：底电极，在衬底上；磁隧道结图案，包括顺序地堆叠在底电极上的第一磁性图案、隧道势垒图案和第二磁性图案；以及顶电极，在磁隧道结图案上。底电极包括第一底电极和在第一底电极上的第二底电极。第一底电极和第二底电极中的每个包括金属氮化物。第一底电极具有比第二底电极的结晶度高的结晶度。
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公开(公告)号：CN103456882B
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201310200031.7
申请日：2013-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/1683 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/1286 , H01L45/144 , H01L45/16 , H01L45/1608
Abstract: 相变存储器件包括相变存储单元和热沉（heat sink）。相变存储单元包括：相变材料层图样；被配置为加热该相变材料层图样的、在该相变材料层图样之下的下电极；及在该相变材料层图样之上的上电极。热沉被配置为从相变存储单元吸收热量。热沉具有低于上电极的顶面的顶面，并且与相变存储单元空间隔开。
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公开(公告)号：CN111211220A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201910863772.0
申请日：2019-09-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了磁随机存取存储器(MRAM)装置。MRAM装置可包括：磁隧道结(MTJ)，其包括在竖直方向上按次序堆叠的自由层和钉扎层；以及导电层，其邻近于MTJ的自由层。导电层可包括水平部分以及远离水平部分突出并且在垂直于竖直方向的水平方向上彼此间隔开的第一突出部分和第二突出部分。自由层的一侧和水平部分的一侧可形成笔直的一侧。
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公开(公告)号：CN110942799A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201910890918.0
申请日：2019-09-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/42
Abstract: 提供了有多种纠错功能的存储器器件和存储器系统及其操作方法。所述存储器系统包括：存储器单元阵列，包括第一存储器区域和第二存储器区域；输入/输出电路，包括输入/输出线，其用于向第一存储器区域和第二存储器区域发送或从第一存储器区域和第二存储器区域接收数据位和奇偶校验位；和纠错电路，包括多个子纠错电路，该多个子纠错电路包括第一子纠错电路和第二子纠错电路，其中第一子纠错电路用于对通过输入/输出线接收的第一存储器区域的第一数据位执行第一纠错操作，第二子纠错电路用于对通过输入/输出线接收的第二存储器区域的第二数据位执行第二纠错操作。第一存储器区域具有比第二存储器区域更高的误码率。
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公开(公告)号：CN103456882A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310200031.7
申请日：2013-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/1683 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/1286 , H01L45/144 , H01L45/16 , H01L45/1608
Abstract: 相变存储器件包括相变存储单元和热沉（heat sink）。相变存储单元包括：相变材料层图样；被配置为加热该相变材料层图样的、在该相变材料层图样之下的下电极；及在该相变材料层图样之上的上电极。热沉被配置为从相变存储单元吸收热量。热沉具有低于上电极的顶面的顶面，并且与相变存储单元空间隔开。
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