公开(公告)号：CN114267788A

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202111079272.1

申请日：2021-09-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑圭镐 ,  朴瑛琳 ,  安敞茂 ,  宋鸿善 ,  辛瑜曔

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/108

Abstract: 本公开提供了半导体器件。半导体器件可以包括依次堆叠在半导体基板上的底电极、电介质层和顶电极。底电极包括：与电介质层接触的第一掺杂区；主区，通过第一掺杂区而与电介质层间隔开，该第一掺杂区介于主区和电介质层之间；以及在第一掺杂区和主区之间的第二掺杂区。第一掺杂区和第二掺杂区中的每个包括氧和掺杂金属。在一些实施方式中，第二掺杂区还可以包括氮。主区可以没有所述掺杂金属。第二掺杂区中的氧的量小于第一掺杂区中的氧的量。

公开(公告)号：CN112750833A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202011169193.5

申请日：2020-10-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安敞茂 ,  姜相列 ,  朴瑛琳 ,  徐钟汎 ,  安世衡

IPC: H01L27/108 ,  H01L49/02

Abstract: 公开了一种半导体装置。半导体装置包括：接地垫，位于基底上；下电极，位于接地垫上，下电极电连接到接地垫；介电层，位于下电极上，介电层沿下电极的轮廓延伸；上电极，位于介电层上；以及上板电极，位于上电极上并在其中包括第一氟(F)，其中，上板电极包括面对上电极的界面，并且其中，上板电极包括第一氟的浓度随着距上板电极的所述界面的距离增大而减小的部分。

公开(公告)号：CN112103290A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN202010552109.1

申请日：2020-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴瑛琳 ,  安世衡 ,  姜相列 ,  安敞茂 ,  郑圭镐

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  H01L49/02

Abstract: 本公开涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。该半导体器件包括：在衬底上的着落焊盘；在着落焊盘上并连接到着落焊盘的下电极，该下电极包括外部分和在外部分内部的内部分，该外部分包括第一区域和第二区域；在下电极上以沿着外部分的第一区域延伸的电介质膜；以及在电介质膜上的上电极，其中下电极的外部分包括金属掺杂剂，外部分的第一区域中的金属掺杂剂的浓度不同于外部分的第二区域中的金属掺杂剂的浓度。

公开(公告)号：CN117119790A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202310537789.3

申请日：2023-05-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴瑛琳 ,  林佑燮 ,  蔡志旼 ,  安敞茂 ,  林载顺

IPC: H10B12/00 ,  H10N97/00

Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：下电极，设置在基底上；第一下界面膜，设置在下电极上；介电膜，设置在第一下界面膜上；第一上界面膜，设置在介电膜上；以及上电极，设置在第一上界面膜上，其中，第一下界面膜和第一上界面膜中的每个是导电单膜，并且第一下界面膜和第一上界面膜包括相同的金属元素，其中，包括在第一下界面膜和第一上界面膜中的每个中的金属元素的电负性大于包括在介电膜中的金属元素的电负性。

公开(公告)号：CN112750950A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202011153547.7

申请日：2020-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安敞茂 ,  姜相列 ,  朴瑛琳 ,  徐锺汎 ,  安世衡

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/108

Abstract: 公开了一种半导体装置。半导体装置可以包括接地垫和下电极，下电极位于接地垫上且连接到接地垫并且包括外部部分和在外部部分内部的内部部分。外部部分包括第一区域和第二区域。半导体装置还可以包括下电极的外部部分的第一区域上的介电膜和位于介电膜上的上电极。下电极的外部部分的第一区域可以包括硅(Si)掺杂剂，介电膜不沿着外部部分的第二区域延伸。外部部分的第一区域中的硅掺杂剂的浓度不同于外部部分的第二区域中的硅掺杂剂的浓度并且比内部部分中的硅掺杂剂的浓度高。