公开(公告)号：CN119725145A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202410450941.9

申请日：2024-04-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金铉培 ,  李柱昊 ,  姜泂模 ,  金京善 ,  金南均 ,  罗栋铉 ,  南象基 ,  李现宰 ,  郑贤学

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01J37/32 ,  C23C16/517 ,  C23C16/02 ,  C23C16/52

Abstract: 一种衬底处理方法，包括：将衬底放置在衬底处理装置中；向衬底处理装置施加源功率；以及向衬底处理装置施加偏压功率，其中，向衬底处理装置施加源功率包括：利用具有第一周期的第一脉冲向衬底处理装置提供第一射频(RF)功率；以及利用具有第二周期的第二脉冲向衬底处理装置提供第二RF功率，其中，第一周期比第二周期长。

公开(公告)号：CN118824830A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410475384.6

申请日：2024-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 奥西直彦 ,  姜泂模 ,  金南均 ,  南盛植 ,  沈承辅

IPC: H01J37/32 ,  H05H1/24

Abstract: 一种等离子体处理装置包括被配置为容纳电极的喷头以及位于喷头上的可变阻抗控制器。可变阻抗控制器包括第一构件和第二构件，第一构件与喷头间隔开并沿喷头的圆周布置，第二构件位于第一构件上并被配置为旋转。可变阻抗控制器被配置为：随着第一构件和第二构件之间的至少一个接触点根据第二构件的旋转而改变，通过改变由第一构件和第二构件产生的阻抗来控制阻抗。

公开(公告)号：CN110323117B

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN201910211420.7

申请日：2019-03-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈承辅 ,  成德镛 ,  卢泳辰 ,  李镕祐 ,  任志洙 ,  姜泂模 ,  韩丙勳 ,  李天揆 ,  堀口将人

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了一种等离子体处理设备。所述等离子体处理设备包括：卡盘台，用于支撑晶圆并包括下电极；上电极，设置在卡盘台上；AC电源，将具有不同大小的频率的第一信号至第三信号施加到上电极或下电极；介电环，围绕卡盘台；边缘电极，位于介电环内；以及谐振电路，连接到边缘电极。谐振电路包括：滤波器电路，允许第一信号至第三信号之中的仅第三信号通过；以及串联谐振电路，与滤波器电路串联连接，并具有串联连接且接地的第一线圈和第一可变电容器。

公开(公告)号：CN110323117A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201910211420.7

申请日：2019-03-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈承辅 ,  成德镛 ,  卢泳辰 ,  李镕祐 ,  任志洙 ,  姜泂模 ,  韩丙勳 ,  李天揆 ,  堀口将人

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了一种等离子体处理设备。所述等离子体处理设备包括：卡盘台，用于支撑晶圆并包括下电极；上电极，设置在卡盘台上；AC电源，将具有不同大小的频率的第一信号至第三信号施加到上电极或下电极；介电环，围绕卡盘台；边缘电极，位于介电环内；以及谐振电路，连接到边缘电极。谐振电路包括：滤波器电路，允许第一信号至第三信号之中的仅第三信号通过；以及串联谐振电路，与滤波器电路串联连接，并具有串联连接且接地的第一线圈和第一可变电容器。