-
公开(公告)号：CN107422982A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710236665.6
申请日：2017-04-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
CPC classification number: G06F3/0619 , G06F3/0653 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G06F3/0688 , G06F11/1048 , G06F11/1068 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C29/52 , G06F3/0614 , G06F3/0629
Abstract: 本发明涉及一种包括非易失性存储器和控制器的存储装置，所述控制器配置为根据外部主机装置的请求生成读取命令并传输读取命令至非易失性存储器。非易失性存储器配置为响应读取命令执行读取操作，输出读取数据至控制器，并储存读取操作的信息在内部寄存器中。
-
-
公开(公告)号：CN102376357A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110227178.6
申请日：2011-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/02 , H01L27/115
CPC classification number: G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/06 , G11C16/3454 , H01L27/11582 , H01L29/7926
Abstract: 公开了一种非易失性存储器件，其包括：三维存储单元阵列，所述的三维存储单元阵列具有从最靠近衬底的最低存储单元阵列层向最远离衬底的最高存储单元阵列层延伸的字线；电压生成器电路，其产生第一电压信号和第二电压信号；以及行选择电路，其同时施加第一电压信号到被选字线和第二电压信号到未选字线。被选字线和未选字线具有不同电阻；然而在定义的时段内以相同的上升斜率将第一电压信号施加到被选字线以及将第二电压信号施加到未选字线。
-
公开(公告)号：CN102376357B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201110227178.6
申请日：2011-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/02 , H01L27/115
CPC classification number: G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/06 , G11C16/3454 , H01L27/11582 , H01L29/7926
Abstract: 公开了一种非易失性存储器件，其包括：三维存储单元阵列，所述的三维存储单元阵列具有从最靠近衬底的最低存储单元阵列层向最远离衬底的最高存储单元阵列层延伸的字线；电压生成器电路，其产生第一电压信号和第二电压信号；以及行选择电路，其同时施加第一电压信号到被选字线和第二电压信号到未选字线。被选字线和未选字线具有不同电阻；然而在定义的时段内以相同的上升斜率将第一电压信号施加到被选字线以及将第二电压信号施加到未选字线。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.016 seconds)
