公开(公告)号：CN1976039A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610136072.4

申请日：2006-10-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文昌郁 ,  李相睦 ,  柳寅儆 ,  李升运 ,  埃尔·M·布里姆 ,  李殷洪 ,  赵重来

IPC: H01L27/115 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L27/115 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/35 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明涉及一种包括具有金属－绝缘体－金属(MIM)结构的存储节点的非易失性存储器及其操作方法。该存储器包括开关元件和连接到该开关元件的存储节点。该存储节点包括顺序堆叠的第一金属层、第一绝缘层和第二金属层，以及纳米结构层。该存储节点还可包括第二绝缘层和第三金属层，且作为碳纳米结构层的所述纳米结构层可包括至少一个富勒烯层。

公开(公告)号：CN101068038B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200610159882.1

申请日：2006-11-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 埃尔·M·布里姆 ,  李殷洪 ,  赵重来

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明提供一种包括可变电阻材料的非易失性存储器件。该非易失性存储器件包括：下电极；形成在该下电极上的缓冲层，该缓冲层由氧化物构成；形成在该缓冲层上的氧化物层，该氧化物层具有可变电阻特性；以及形成在该氧化物层上的上电极。

公开(公告)号：CN101064359B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200610142401.6

申请日：2006-10-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵重来 ,  李殷洪 ,  埃尔·M·布里姆 ,  文昌郁

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  H01L27/10 ,  H01L27/115 ,  G11C13/00 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L27/101 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/52 ,  H01L29/24 ,  H01L29/8615 ,  H01L45/04 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明公开了一种包括可变电阻材料的非易失存储器件，该非易失存储器件包括：下电极；在下电极上形成的第一氧化物层；在第一氧化物层上形成且具有可变电阻特性的第二氧化物层；形成于第二氧化物层上的缓冲层；以及形成于缓冲层上的上电极。

公开(公告)号：CN1976039B

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200610136072.4

申请日：2006-10-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文昌郁 ,  李相睦 ,  柳寅儆 ,  李升运 ,  埃尔·M·布里姆 ,  李殷洪 ,  赵重来

IPC: H01L27/115 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L27/115 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/35 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明涉及一种包括具有金属-绝缘体-金属(MIM)结构的存储节点的非易失性存储器及其操作方法。该存储器包括开关元件和连接到该开关元件的存储节点。该存储节点包括顺序堆叠的第一金属层、第一绝缘层和第二金属层，以及纳米结构层。该存储节点还可包括第二绝缘层和第三金属层，且作为碳纳米结构层的所述纳米结构层可包括至少一个富勒烯层。

公开(公告)号：CN101068038A

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN200610159882.1

申请日：2006-11-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 埃尔·M·布里姆 ,  李殷洪 ,  赵重来

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明提供一种包括可变电阻材料的非易失性存储器件。该非易失性存储器件包括：下电极；形成在该下电极上的缓冲层，该缓冲层由氧化物构成；形成在该缓冲层上的氧化物层，该氧化物层具有可变电阻特性；以及形成在该氧化物层上的上电极。

公开(公告)号：CN101064359A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200610142401.6

申请日：2006-10-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵重来 ,  李殷洪 ,  埃尔·M·布里姆 ,  文昌郁

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  H01L27/10 ,  H01L27/115 ,  G11C13/00 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L27/101 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/52 ,  H01L29/24 ,  H01L29/8615 ,  H01L45/04 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明公开了一种包括可变电阻材料的非易失存储器件，该非易失存储器件包括：下电极；在下电极上形成的第一氧化物层；在第一氧化物层上形成且具有可变电阻特性的第二氧化物层；形成于第二氧化物层上的缓冲层；以及形成于缓冲层上的上电极。

公开(公告)号：CN1991940A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610132098.1

申请日：2006-10-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文昌郁 ,  埃尔·M·布里姆 ,  李成进 ,  李升运

IPC: G09G3/00 ,  G09G3/36 ,  G01R31/00 ,  G02F1/13 ,  G01M11/00

CPC classification number: H01J1/312 ,  B82Y10/00 ,  G02F2001/136254 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明提供了一种用于检测使用表面电子发射器件阵列的薄膜晶体管阵列的薄膜晶体管检测系统以及使用其的检测方法。薄膜晶体管阵列包括多条栅极线、多条源极线、多个连接到栅极线和源极线的单元薄膜晶体管和多个电连接到单元薄膜晶体管的像素电极。该薄膜晶体管检测系统包括表面电子发射器件阵列，该表面电子发射器件阵列具有设置为面向在第一方向的薄膜晶体管阵列的第一电极，沿与第一方向相交的第二方向设置在相应于其中形成了第一电极和相应的像素电极的区域的区域中的第二电极，和插入在第一电极和第二电极之间的绝缘层。