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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116896873A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310267630.4
申请日：2023-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体装置可包括：衬底，其包括第一连接区和第二连接区之间的存储器单元区；栅电极，其在第一方向上延伸并且包括在第一连接区上具有台阶结构的第一焊盘区；背栅电极，其位于栅电极之间并且在与第一方向相反的方向上延伸；竖直导电图案，其在衬底的存储器单元区上在竖直方向上延伸并且在第一方向上彼此间隔开；以及有源层，其在衬底的存储器单元区上位于栅电极和背栅电极之间。有源层可在与第一方向相交的第二方向上延伸，并且可电连接到竖直导电图案。背栅电极可包括在第二连接区上具有台阶结构的第二焊盘区。
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公开(公告)号：CN117412588A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202310662125.X
申请日：2023-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体器件包括：垂直图案，包括第一源极/漏极区、第二源极/漏极区和位于所述第一源极/漏极区与所述第二源极/漏极区之间的垂直沟道区，所述第二源极/漏极区的高度高于所述第一源极/漏极区的高度；前栅极结构，面向所述垂直图案的第一侧表面；以及背栅极结构，面向所述垂直图案的与所述第一侧表面相反的第二侧表面。所述前栅极结构包括：栅电极，位于所述垂直图案的所述第一侧表面上；以及栅极电介质层，包括设置在所述垂直图案与所述栅电极之间的部分。所述背栅极结构包括：背栅电极，位于所述垂直图案的所述第二侧表面上；以及电介质结构，包括设置在所述垂直图案与所述背栅电极之间的部分。所述电介质结构包括气隙。
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公开(公告)号：CN112018115A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010111840.0
申请日：2020-02-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 提供了一种集成电路装置及其制造方法。该集成电路装置包括：衬底，其包括有源区；装置隔离膜，其限定有源区；字线，其被布置在有源区和装置隔离膜上面并在第一水平方向上延伸；和栅介电膜，其被布置在衬底和字线之间以及装置隔离膜和字线之间，其中，在与第一水平方向正交的第二水平方向上，字线的在多个有源区上面的第二部分的宽度大于字线的在有源区上面的第一部分的宽度。为了制造集成电路装置，通过将掺杂剂离子注入到衬底和装置隔离膜中而在衬底和装置隔离膜中形成杂质区，并且减小杂质区的一部分的厚度。
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公开(公告)号：CN118175838A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202311644019.5
申请日：2023-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体存储器件包括在衬底上并在平行于衬底的底表面的第一方向上延伸的位线、在位线上的第一有源图案、在平行于衬底的底表面并与第一方向交叉的第二方向上与第一有源图案交叉的第一字线、以及在第一有源图案上的第一导电图案。第一字线包括面对第一方向的第一侧表面。第一有源图案包括在第一字线和第一导电图案之间的第一部分、在第一字线和位线之间的第二部分、以及在第一字线的第一侧表面上延伸以将第一有源图案的第一部分连接到第二部分的第三部分。
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公开(公告)号：CN116896877A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310315781.2
申请日：2023-03-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：基板；在基板上的第一栅极结构和第二栅极结构；单个背栅极结构，在第一栅极结构和第二栅极结构之间；第一结构，包括在垂直方向上延伸的第一垂直沟道区，第一垂直沟道区的至少一部分在第一栅极结构和单个背栅极结构之间；以及第二结构，包括在垂直方向上延伸的第二垂直沟道区。第二结构与第一结构间隔开，第二垂直沟道区的至少一部分在第二栅极结构和单个背栅极结构之间。
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