公开(公告)号：CN101834205B

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN201010132525.2

申请日：2010-03-10

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 青木宏宪 ,  金子修一

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：具有第1导电型的外延层、在外延层上邻接而形成的且具有第1导电型和相反的第2导电型的基底层、在基底层上选择地形成的具有第1导电型的源层、贯通基底层和所述源层且到达外延层的沟道、沿着沟道的内壁而形成的绝缘膜、在沟道的内部隔着绝缘膜而形成的控制电极以及在外延层中沿着沟道的底部而形成的第1导电型的半导体区域。

公开(公告)号：CN102891171A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201210253230.X

申请日：2012-07-20

Applicant: 联华电子股份有限公司 ,  三垦电气株式会社

Inventor： 马场良平 ,  金子信男 ,  金子修一 ,  施欣宏 ,  吴俊森 ,  罗亿丞

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/778 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体装置及其制造方法，本发明的氮化物半导体装置具有氮化物半导体层、设置在氮化物半导体层上的第一绝缘膜、设置在第一绝缘膜上的第二绝缘膜、在氮化物半导体层上相互分开设置的第一主电极及第二主电极、设置在第一主电极及第二主电极间的第二绝缘膜上且经由设于第一绝缘膜及第二绝缘膜的开口部与氮化物半导体层连接的场极板，其中，在开口部，氮化物半导体层的表面与第一绝缘膜的侧面构成的第一倾斜角比氮化物半导体层的表面与将第二绝缘膜的侧面延长的延长线构成的第二倾斜角小。

公开(公告)号：CN101834205A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN201010132525.2

申请日：2010-03-10

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 青木宏宪 ,  金子修一

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：具有第1导电型的外延层、在外延层上邻接而形成的且具有第1导电型和相反的第2导电型的基底层、在基底层上选择地形成的具有第1导电型的源层、贯通基底层和所述源层且到达外延层的沟道、沿着沟道的内壁而形成的绝缘膜、在沟道的内部隔着绝缘膜而形成的控制电极以及在外延层中沿着沟道的底部而形成的第1导电型的半导体区域。

公开(公告)号：CN102891171B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201210253230.X

申请日：2012-07-20

Applicant: 联华电子股份有限公司 ,  三垦电气株式会社

Inventor： 马场良平 ,  金子信男 ,  金子修一 ,  施欣宏 ,  吴俊森 ,  罗亿丞

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/778 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体装置及其制造方法，本发明的氮化物半导体装置具有氮化物半导体层、设置在氮化物半导体层上的第一绝缘膜、设置在第一绝缘膜上的第二绝缘膜、在氮化物半导体层上相互分开设置的第一主电极及第二主电极、设置在第一主电极及第二主电极间的第二绝缘膜上且经由设于第一绝缘膜及第二绝缘膜的开口部与氮化物半导体层连接的场极板，其中，在开口部，氮化物半导体层的表面与第一绝缘膜的侧面构成的第一倾斜角比氮化物半导体层的表面与将第二绝缘膜的侧面延长的延长线构成的第二倾斜角小。