公开(公告)号：CN219626644U

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202320918119.1

申请日：2023-04-21

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 蓜岛孝史 ,  川瀬启

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L23/29 ,  H01L23/495

Abstract: 本实用新型提供半导体装置，其在树脂密封后的半导体装置的树脂表面所设置的凹部的孔、台阶凹陷区中，通过使树脂表面粗糙，能够抑制清洗液残留。本实用新型的半导体装置的特征在于，具有引线框、散热基板和半导体芯片，通过树脂密封体的树脂包覆这些部件，在树脂密封体的表面具有凹部，所述凹部具有表面粗糙度比所述树脂密封体的表面大的表面粗糙部。此外，其特征在于，所述树脂密封体的所述凹部的所述表面粗糙部的树脂表面粗糙度为Sa：3.5～5.0μm。

公开(公告)号：CN208923093U

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201821938855.9

申请日：2018-11-23

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 蓜岛孝史 ,  平冈亮 ,  向后和哉

IPC: H01L23/31

Abstract: 本实用新型提供一种半导体装置。该半导体装置具有：半导体元件；绝缘基板，其具有第一主表面和第二主表面，在所述第一主表面上载置所述半导体元件；以及树脂密封体，其对所述半导体元件和所述绝缘基板进行树脂密封，并使得所述绝缘基板的所述第二主表面露出。其中，在所述绝缘基板的所述第一主表面的区域内设置有用于缓冲按压力的导电部件。由此，能够减少或避免绝缘基板因为按压力而被破坏的情况，从而减少或避免产品的绝缘强度下降的问题，能够实现较高的绝缘性。

公开(公告)号：CN203690284U

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201420035233.0

申请日：2014-01-20

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 蓜岛孝史 ,  古原健二

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29

CPC classification number: H01L2224/32245

Abstract: 本实用新型提供半导体装置，通过由无机绝缘层和金属层构成的散热板来实现了高动作可靠性。该半导体装置具有：半导体元件；下垫板，其在一个主面上隔着导电性粘合剂载置了半导体元件；外部引线，其具有下垫板；散热板，其在一个主面上隔着导电性粘合剂载置了下垫板，该半导体装置被构成为，以散热板的另一个主面露出的方式利用树脂将半导体元件、下垫板和散热板密封，其中，散热板在无机绝缘层的一个主面以及无机绝缘层的与一个主面相对的另一主面具有金属层，无机绝缘层的水平投影面积比金属层的水平投影面积大，在散热板的侧表面具有无机绝缘层的突出部。

公开(公告)号：CN203562422U

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201320739156.2

申请日：2013-11-20

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 蓜岛孝史 ,  古原健二 ,  泷启史

IPC: H01L23/58

CPC classification number: H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/48247

Abstract: 本实用新型实施例提供一种半导体装置，该半导体装置包括：第一模具垫；半导体元件，设置于所述第一模具垫的一侧的主平面上；第二模具垫；以及热敏电阻，以靠近所述半导体元件的方式，设置于所述第二模具垫的朝向所述半导体元件的一侧的主平面上。通过本实用新型，缩短了从半导体元件到热敏电阻的热路径，从而提高了热敏电阻的热敏感性。