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公开(公告)号：CN208923093U
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201821938855.9
申请日：2018-11-23
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L23/31
Abstract: 本实用新型提供一种半导体装置。该半导体装置具有：半导体元件；绝缘基板，其具有第一主表面和第二主表面，在所述第一主表面上载置所述半导体元件；以及树脂密封体，其对所述半导体元件和所述绝缘基板进行树脂密封，并使得所述绝缘基板的所述第二主表面露出。其中，在所述绝缘基板的所述第一主表面的区域内设置有用于缓冲按压力的导电部件。由此，能够减少或避免绝缘基板因为按压力而被破坏的情况，从而减少或避免产品的绝缘强度下降的问题，能够实现较高的绝缘性。
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