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公开(公告)号：CN219626644U
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202320918119.1
申请日：2023-04-21
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/29 , H01L23/495
Abstract: 本实用新型提供半导体装置，其在树脂密封后的半导体装置的树脂表面所设置的凹部的孔、台阶凹陷区中，通过使树脂表面粗糙，能够抑制清洗液残留。本实用新型的半导体装置的特征在于，具有引线框、散热基板和半导体芯片，通过树脂密封体的树脂包覆这些部件，在树脂密封体的表面具有凹部，所述凹部具有表面粗糙度比所述树脂密封体的表面大的表面粗糙部。此外，其特征在于，所述树脂密封体的所述凹部的所述表面粗糙部的树脂表面粗糙度为Sa：3.5～5.0μm。
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