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公开(公告)号：CN115413301B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202180023459.1
申请日：2021-03-16
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 提供用于覆铜层叠板和/或印刷电路板时可兼顾优异的传输特性和高剥离强度的粗糙化处理铜箔。该粗糙化处理铜箔在至少一侧具有粗糙化处理面。粗糙化处理面的依据ISO25178在基于S滤波器的截止波长为0.3μm以及基于L滤波器的截止波长为5μm的条件下测定的突出峰部高度Spk(μm)相对于依据ISO25178在基于S滤波器的截止波长为0.3μm以及基于L滤波器的截止波长为5μm的条件下测定的偏斜度Ssk之比、即微粒前端直径指数Spk/Ssk为0.20以上且1.00以下，并且，依据ISO25178在基于S滤波器的截止波长为0.3μm以及基于L滤波器的截止波长为64μm的条件下测定的十点区域高度S10z为2.50μm以上。
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公开(公告)号：CN111886367A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201980020819.5
申请日：2019-03-20
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明提供一种粗糙化处理铜箔，其为适于细线电路形成的低粗糙度的粗糙化处理铜箔，并且在用于SAP法的情况下，能够赋予层叠体不仅对化学镀铜层的蚀刻性和干膜分辨率优异、而且从抗剪强度的观点来看电路密合性也优异的表面轮廓。该粗糙化处理铜箔在至少一侧具有粗糙化处理面，粗糙化处理面具备多个粗糙化颗粒而成，粗糙化处理铜箔的长度10μm的截面中的粗糙化颗粒的周长L(μm)的平方相对于粗糙化颗粒的面积S(μm2)之比L2/S的平均值为16以上且30以下，并且，粗糙化处理面的微观不平度十点高度Rz为0.7μm以上且1.7μm以下。
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公开(公告)号：CN107429417B
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201680020446.8
申请日：2016-03-25
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 提供一种在用于SAP法时能对层叠体赋予不仅镀覆电路密合性、而且对化学镀铜的蚀刻性及干膜分辨率也优异的表面轮廓的粗糙化处理铜箔。本发明的粗糙化处理铜箔为在至少一侧具有粗糙化处理面的粗糙化处理铜箔，粗糙化处理面具备由铜颗粒形成的多个大致球状突起，大致球状突起的平均高度为2.60μm以下、并且大致球状突起的平均最大直径bave相对于大致球状突起的平均颈部直径aave的比bave/aave为1.2以上。
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公开(公告)号：CN108464062B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201780006592.X
申请日：2017-02-15
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 提供：在不另行需要追加的蚀刻工序的情况下、通过Cu蚀刻能在面内均匀地进行铜层的蚀刻、且能抑制局部的电路凹痕的发生的、印刷电路板的制造方法。该制造方法包括如下工序：使用依次具备表面铜层和蚀刻牺牲层的金属箔、或依次具备表面铜层、蚀刻牺牲层和追加铜层的金属箔得到支撑体的工序；在表面铜层上形成至少包含铜制的第一布线层和绝缘层的积层布线层，得到带积层布线层的层叠体的工序；和，利用蚀刻液将表面铜层和蚀刻牺牲层、或表面铜层、蚀刻牺牲层和追加铜层去除，使第一布线层露出，由此得到包含积层布线层的印刷电路板的工序。蚀刻牺牲层的蚀刻速率高于Cu。
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公开(公告)号：CN107429417A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680020446.8
申请日：2016-03-25
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 提供一种在用于SAP法时能对层叠体赋予不仅镀覆电路密合性、而且对化学镀铜的蚀刻性及干膜分辨率也优异的表面轮廓的粗糙化处理铜箔。本发明的粗糙化处理铜箔为在至少一侧具有粗糙化处理面的粗糙化处理铜箔，粗糙化处理面具备由铜颗粒形成的多个大致球状突起，大致球状突起的平均高度为2.60μm以下、并且大致球状突起的平均最大直径bave相对于大致球状突起的平均颈部直径aave的比bave/aave为1.2以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113646469B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202080023976.4
申请日：2020-03-09
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 提供一种印刷电路板制造用金属箔，其即使在穿孔后进行化学溶液处理的情况下，也能够抑制晶种层缺损的发生。另外，提供一种印刷电路板制造用金属箔，其即使在进行了高温压制加工的情况下，也会有效地防止金属等从第一蚀刻牺牲层向晶种层的扩散，其结果能够发挥蚀刻牺牲层原本具有的牺牲效果。该印刷电路板制造用金属箔依次具备第1蚀刻牺牲层、第2蚀刻牺牲层和铜层，将所述第1蚀刻牺牲层的蚀刻速率相对于Cu的蚀刻速率之比设为r1、将所述第2蚀刻牺牲层的蚀刻速率相对于Cu的蚀刻速率之比设为r2时，满足r1＞r2＞1.0。
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公开(公告)号：CN117480281A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202280039183.0
申请日：2022-06-01
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C25D7/06
Abstract: 提供一种在用于覆铜层叠板和/或印刷电路板的情况下，能够兼顾优异的传输特性和高剥离强度的粗糙化处理铜箔。该粗糙化处理铜箔在至少一侧具有粗糙化处理面，在通过频率范围为0以上且511以下并且频率间隔为1的傅里叶变换将粗糙化处理面中的水平方向的对象长度64μm的截面曲线分解为512个频率成分的情况下，频率1以上且5以下的频率成分之和在频率1以上且511以下的频率成分之和中所占的比例为15.0％以上，并且频率13以上且511以下的频率成分的平均值为0.010μm以下。
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公开(公告)号：CN110382745B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201880016577.8
申请日：2018-04-27
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 提供为适于细线电路形成的低粗糙度的粗糙化处理铜箔、并且该粗糙化处理铜箔在用于SAP法时能对层叠体赋予不仅对化学镀铜的蚀刻性及干膜分辨率优异、而且电路密合性也优异的表面轮廓。本发明的粗糙化处理铜箔在至少一侧具有粗糙化处理面，粗糙化处理面是具备多个具有收缩部分的一次粗糙化颗粒而成的，一次粗糙化颗粒在包含收缩部分的表面具有多个比一次粗糙化颗粒小的二次粗糙化颗粒，收缩部分的二次粗糙化颗粒的个数除以收缩部分的表面积所得的值即二次粗糙化颗粒密度为9～30个/μm2，并且粗糙化处理面的微观不平度十点高度Rz为0.7～1.7μm。
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公开(公告)号：CN112969824A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201980073918.X
申请日：2019-10-02
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 提供一种表面处理铜箔，其在用于SAP法时，能够对树脂基材赋予表面轮廓，所述表面轮廓在化学镀铜层的蚀刻工序中可以有效地抑制可能在电路中产生的陷入的发生。该表面处理铜箔为在至少一侧具有处理表面的表面处理铜箔，在处理表面热压接树脂薄膜而将处理表面的表面形状转印至树脂薄膜的表面、并通过蚀刻将表面处理铜箔去除时，残留的树脂薄膜的表面的依据ISO25178测定的偏斜度Ssk为‑0.6以下。
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公开(公告)号：CN108464062A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201780006592.X
申请日：2017-02-15
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 提供：在不另行需要追加的蚀刻工序的情况下、通过Cu蚀刻能在面内均匀地进行铜层的蚀刻、且能抑制局部的电路凹痕的发生的、印刷电路板的制造方法。该制造方法包括如下工序：使用依次具备表面铜层和蚀刻牺牲层的金属箔、或依次具备表面铜层、蚀刻牺牲层和追加铜层的金属箔得到支撑体的工序；在表面铜层上形成至少包含铜制的第一布线层和绝缘层的积层布线层，得到带积层布线层的层叠体的工序；和，利用蚀刻液将表面铜层和蚀刻牺牲层、或表面铜层、蚀刻牺牲层和追加铜层去除，使第一布线层露出，由此得到包含积层布线层的印刷电路板的工序。蚀刻牺牲层的蚀刻速率高于Cu。
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