-
公开(公告)号：CN1278464C
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN02819066.1
申请日：2002-09-25
Applicant: 三井化学株式会社 , 古河电气工业株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/02208 , H01S5/02284 , H01S5/02415 , H01S5/02438 , H01S5/0652 , H01S5/0656 , H01S5/146 , H01S5/34
Abstract: 本发明提供半导体激光元件，其振荡激光的振荡波长稳定、振荡频谱为多模式，具备有由量子阱结构构成的活性层的层结构，且利用返回光的作用产生稳定波长的激光振荡，是其振荡频谱为多模式的Fabry-Perot型半导体激光元件，设每1层阱层的光限制系数为г、1层阱层的厚度为d(nm)时，则г与d之间满足下式：г/d≤1.3×10-3nm-1的关系。
-
公开(公告)号：CN1561567A
公开(公告)日：2005-01-05
申请号：CN02819066.1
申请日：2002-09-25
Applicant: 三井化学株式会社 , 古河电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/02208 , H01S5/02284 , H01S5/02415 , H01S5/02438 , H01S5/0652 , H01S5/0656 , H01S5/146 , H01S5/34
Abstract: 本发明提供半导体激光元件，其振荡激光的振荡波长稳定、振荡频谱为多模式，具备有由量子阱结构构成的活性层的层结构，且利用返回光的作用产生稳定波长的激光振荡，是其振荡频谱为多模式的Fabry－Perot型半导体激光元件，设每1层阱层的光限制系数为Γ、1层阱层的厚度为d(nm)时，则Γ与d之间满足下式：Γ/d≤1.3×10－3nm－1的关系。
-
公开(公告)号：CN1653659A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN03810405.9
申请日：2003-05-08
Applicant: 古河电气工业株式会社 , 三井化学株式会社
IPC: H01S5/14
CPC classification number: H01S5/146 , B82Y20/00 , H01S5/02284 , H01S5/02415 , H01S5/1039 , H01S5/1096 , H01S5/2009 , H01S5/2231 , H01S5/34306 , H01S2301/02
Abstract: 一种激光器组件，其被设计成高频区域10MHz～1GHz的相对噪声强度(RIN)的累计值(以下叫做高频RIN)是－40dB以上。在具备该激光器组件且具有量子阱结构活性层的半导体激光元件中，当把每一层阱层的光封闭系数设为Γ，把一层阱层的厚度设为d(nm)时，用Γ/d≤1.3×10－3nm－1表示的关系成立。且设为激光器组件的活性层结构能采用完全分离封闭结构(Decoupled Confinement Heterostructure：DCH结构)和分离封闭结构(Separated Confinement Heterostructure：SCH结构)。
-
公开(公告)号：CN115349207A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202080099277.8
申请日：2020-12-21
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01S5/042 , H01S5/02315 , H01S5/02345 , H01S5/0237 , H01S5/024 , H01S5/40
Abstract: 安装有发光装置的子基座具备：基底，具有在第一方向以及与该第一方向正交的第二方向上延伸的第一面；第一电极，在第一面上在第一方向以及第二方向上延伸，具有该第二方向的第一端和在第一方向上延伸的第二方向的相反方向的第二端；和第二电极，在第一面上在第一方向以及第二方向上延伸，具有从所述第一端开始在所述第二方向上隔开间隙而分离的第二方向的相反方向的第三端和在第一方向上延伸的第二方向的第四端，第二电极的第三端与第四端之间的第二方向的第二宽度按照第一方向的位置而不同。
-
公开(公告)号：CN103518297B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201280013594.9
申请日：2012-03-16
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01S5/16
CPC classification number: H01S5/0421 , B82Y20/00 , H01L33/005 , H01L33/305 , H01S5/028 , H01S5/2004 , H01S5/2068 , H01S5/2072 , H01S5/22 , H01S5/3054 , H01S5/3063 , H01S5/343 , H01S5/34313 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供一种半导体光器件，其具备第一导电型半导体衬底，在半导体衬底的上方依次沉积的第一导电型的第一熔覆层，活性层，第二导电型的第二熔覆层，接触层；活性层具有通过空位扩散而混晶化的窗部及比窗部混晶度小的非窗部；接触层具有第一区域及第二区域，所述第二区域与所述第一区域相比，其与氢的亲和性更强，且位于所述第一区域的下侧。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111712979B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201980013122.5
申请日：2019-02-14
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01S5/042 , H01S5/02345 , H01S5/50
Abstract: 本发明提供一种在使驱动电压下降的同时使光输出增大、特别是实现了电‑光转换效率的增大的性能优良的光半导体装置，特别是提供一种高输出的半导体激光装置。一种光半导体装置，具备光半导体元件和电连接部，所述光半导体元件具备：半导体层叠部；活性区域，被光输出侧的第一端面和与第一端面相对的第二端面夹住；以及第一电极层和第二电极层，该第一电极层设置于半导体层叠部的上部，该第二电极层设置于半导体层叠部的下部，所述电连接部连接于光半导体元件的第一电极层和第二电极层中的至少一方，用于将电流注入到活性区域，该光半导体装置的特征在于，当将电连接部与光半导体元件相接触的接触面积中的包含于光半导体元件的上部面积的第一端面侧的1/2的接触面积设为α、将包含于光半导体元件的上部面积的第二端面侧的1/2的接触面积设为β时，满足α＞β，且β＞0。
-
公开(公告)号：CN113169514A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980078728.7
申请日：2019-11-20
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01S5/0237 , H01S5/02315 , H01S5/024
Abstract: 半导体激光芯片安装辅助基板具备：半导体激光芯片，其在长边方向上具有出射端面和后端面，从所述出射端面出射激光；和辅助基板，其安装所述半导体激光芯片，所述辅助基板与所述半导体激光芯片的出射端面侧的第1距离比所述辅助基板与所述半导体激光芯片的后端面侧的第2距离小。
-
公开(公告)号：CN111712979A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201980013122.5
申请日：2019-02-14
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种在使驱动电压下降的同时使光输出增大、特别是实现了电-光转换效率的增大的性能优良的光半导体装置，特别是提供一种高输出的半导体激光装置。一种光半导体装置，光半导体元件具备：半导体层叠部；活性区域，被光输出侧的第一端面和与第一端面相对的第二端面夹住；以及第一电极层和第二电极层，该第一电极层设置于半导体层叠部的上部，该第二电极层设置于半导体层叠部的下部，在光半导体元件的第一电极层和第二电极层中的至少一方，连接有用于将电流注入到活性区域的电连接部，该光半导体装置的特征在于，当将电连接部与光半导体元件相接触的接触面积中的包含于光半导体元件的上部面积的第一端面侧的1/2的接触面积设为α、将包含于光半导体元件的上部面积的第二端面侧的1/2的接触面积设为β时，满足α＞β，且β＞0。
-
-
公开(公告)号：CN116964883A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202280020612.X
申请日：2022-01-31
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01S5/16
Abstract: 半导体激光元件例如具有：层叠构造，在第一方向上层叠有第一导电型包覆层、活性层、第二导电型包覆层以及接触层，具有与第一方向交叉的第二方向的输出激光的端面、形成于第二方向的至少中央部的非窗区域、以及形成于非窗区域与端面之间且具有比非窗区域大的带隙的窗区域；第一电极，与第一导电型包覆层电连接；第二电极，形成于接触层上，在与第一电极之间构成经由层叠构造的电流路径；钝化层，形成于端面上，具有比窗区域大的带隙；以及电介质反射膜，覆盖钝化层的与端面相反的一侧。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
20
records
(took 0.034 seconds)
