公开(公告)号：CN1653659A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN03810405.9

申请日：2003-05-08

Applicant: 古河电气工业株式会社 ,  三井化学株式会社

Inventor： 早水尚树 ,  大木泰 ,  青柳秀雄 ,  小矶武 ,  山形友二 ,  室清文

IPC: H01S5/14

CPC classification number: H01S5/146 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/02415 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/1096 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/34306 ,  H01S2301/02

Abstract: 一种激光器组件，其被设计成高频区域10MHz～1GHz的相对噪声强度(RIN)的累计值(以下叫做高频RIN)是－40dB以上。在具备该激光器组件且具有量子阱结构活性层的半导体激光元件中，当把每一层阱层的光封闭系数设为Γ，把一层阱层的厚度设为d(nm)时，用Γ/d≤1.3×10－3nm－1表示的关系成立。且设为激光器组件的活性层结构能采用完全分离封闭结构(Decoupled Confinement Heterostructure：DCH结构)和分离封闭结构(Separated Confinement Heterostructure：SCH结构)。

公开(公告)号：CN100397734C

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN03810405.9

申请日：2003-05-08

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 早水尚树 ,  大木泰 ,  青柳秀雄 ,  小矶武 ,  山形友二 ,  室清文

IPC: H01S5/14

CPC classification number: H01S5/146 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/02415 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/1096 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/34306 ,  H01S2301/02

Abstract: 一种激光器组件，其被设计成高频区域10MHz～1GHz的相对噪声强度(RIN)的累计值(以下叫做高频RIN)是-40dB以上。在具备该激光器组件且具有量子阱结构活性层的半导体激光元件中，当把每一层阱层的光封闭系数设为Γ，把一层阱层的厚度设为d(nm)时，用Γ/d≤1.3×10-3nm-1表示的关系成立。且设为激光器组件的活性层结构能采用完全分离封闭结构(Decoupled Confinement Heterostructure：DCH结构)和分离封闭结构(Separated Confinement Heterostructure：SCH结构)。