发明授权
- 专利标题: 半导体器件及其制造方法
- 专利标题(英): Semiconductor device and manufacturing method thereof
-
申请号: CN200610128855.8申请日: 2006-08-31
-
公开(公告)号: CN1925140B公开(公告)日: 2010-05-12
- 发明人: 铃木恒德 , 野村亮二 , 汤川干央 , 大泽信晴 , 高野圭惠 , 浅见良信 , 佐藤岳尚
- 申请人: 株式会社半导体能源研究所
- 申请人地址: 日本神奈川
- 专利权人: 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人: 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人地址: 日本神奈川
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 任宗华
- 优先权: 2005-252881 2005.08.31 JP
- 主分类号: H01L21/84
- IPC分类号: H01L21/84 ; H01L27/28 ; H01L27/32
摘要:
本发明的目的是高产率地制造半导体器件,在所述半导体器件内,在柔性基底上提供具有含有机化合物的层的元件。制造半导体器件的方法包括:在基底上形成分离层;通过在分离层上形成无机化合物层、第一导电层,和含有机化合物的层,并形成与含有机化合物的层和无机化合物层接触的第二导电层,从而产生形成元件的层;和在将第一柔性基底固定在第二导电层上之后,在分离层处将分离层与形成元件的层分离。
公开/授权文献
- CN1925140A 半导体器件及其制造方法 公开/授权日:2007-03-07
IPC分类: