Invention Publication
- Patent Title: 半导体检查装置、半导体检查系统以及半导体检查方法
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Application No.: CN202380035692.0Application Date: 2023-02-21
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Publication No.: CN119096138APublication Date: 2024-12-06
- Inventor: 表和彦 , 广濑雷太 , 加藤秀一 , 尤里·普拉托洛瓦
- Applicant: 株式会社理学
- Applicant Address: 日本东京都
- Assignee: 株式会社理学
- Current Assignee: 株式会社理学
- Current Assignee Address: 日本东京都
- Agency: 北京市隆安律师事务所
- Agent 权鲜枝; 刘宁军
- Priority: 2022-071044 20220422 JP
- International Application: PCT/JP2023/006167 2023.02.21
- International Announcement: WO2023/203856 JA 2023.10.26
- Date entered country: 2024-10-22
- Main IPC: G01N23/18
- IPC: G01N23/18 ; G01N23/04 ; G01N23/083 ; G21K1/00 ; G21K1/06 ; G21K7/00

Abstract:
提供一种半导体检查装置、半导体检查系统以及半导体检查方法,通过以能够收纳到实验室内的大小且以足够的强度得到放大像,能够按每个局部对半导体内部的微细结构进行检查。一种使用了放大的X射线像的半导体检查装置,具备:X射线照射部,其由微焦点且高输出的X射线源(120)和将放射出的X射线朝向半导体的试样进行聚光照射的会聚镜(130)构成;试样保持部,其对试样进行保持;反射镜型X射线透镜部(150),其对透射过试样的X射线进行成像;以及摄像部(190),其取得所成像的X射线像,构成会聚镜(130)和反射镜型X射线透镜部(150)的各镜具有形成有对于特定波长的X射线具有高反射率的多层膜的反射面。
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