本发明公开了一种半导体设备加热盘上升温度速率控制的方法，通过将完整加热过程分为多个加热的子过程，通过获取每个加热子过程的实际温度曲线，得到完整的实际温度曲线，进而根据期望温度曲线，获取期望温度曲线上的趋势变化点，当趋势变化点的数量大于TS/T个时，确定PID控制器的调节区间，并在每个PID控制器的调节区间内对PID控制参数进行调节，并根据最后的调整后的PID控制器加热盘的当前温度以及加热目标温度，对半导体加热盘进行加热，以实现对半导体设备加热盘的上升温度速率的控制。本发明通过引入多组PID参数在不同的温度条件下进行切换来控制加热速率，能够明显的提高加热期望曲线和加热实际曲线的拟合度。