- 专利标题: 气体簇射头、成膜设备以及用于形成半导体结构的方法
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申请号: CN201811440405.1申请日: 2018-11-29
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公开(公告)号: CN110273140B公开(公告)日: 2022-02-11
- 发明人: 黄志辉 , 李升展 , 周正贤 , 蔡正原
- 申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址: 中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号
- 专利权人: 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人: 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址: 中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号
- 代理机构: 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- 代理商 龚诗靖
- 优先权: 15/922,250 20180315 US
- 主分类号: C23C16/455
- IPC分类号: C23C16/455 ; C23C16/44 ; H01L21/02
摘要:
本发明实施例涉及气体簇射头、成膜设备以及用于形成半导体结构的方法。根据本发明的一些实施例,一种成膜设备包含反应室、安置于所述反应室内部并经配置以支撑衬底的底座,及在所述底座上方的气体簇射头。所述气体簇射头包含多个第一孔及安置于所述气体簇射头的圆周与所述第一孔之间的多个第二孔。所述第一孔经布置以形成第一图案且经配置以在所述衬底上形成材料膜的第一部分。所述第二孔经布置以形成第二图案且经配置以在所述衬底上形成所述材料膜的第二部分。所述第二图案的孔密度大于所述第一图案的孔密度。
公开/授权文献
- CN110273140A 气体簇射头、成膜设备以及用于形成半导体结构的方法 公开/授权日:2019-09-24
IPC分类: