发明授权
- 专利标题： 用于多前体流的半导体处理腔室
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申请号： CN201810472445.8申请日： 2018-05-17
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公开(公告)号： CN108962715B公开(公告)日： 2022-11-22
- 发明人: D·杨 , M·T·萨米尔 , D·卢伯米尔斯基 , P·希尔曼 , S·帕克 , M·Y·崔 , L·朱 , N·英格尔
- 申请人： 应用材料公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 应用材料公司
- 当前专利权人： 应用材料公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 金红莲; 侯颖媖
- 优先权： 15/597,973 20170517 US
- 主分类号： H01J37/32
- IPC分类号： H01J37/32 ; H01L21/67
摘要：
公开了用于多前体流的半导体处理腔室。示例性半导体处理系统可以包括处理腔室，并且可以包括与所述处理腔室耦合的远程等离子体单元。示例性系统还可以包括与所述远程等离子体单元耦合的适配器。所述适配器可以包括第一端和与所述第一端相对的第二端。所述适配器可以限定通过所述适配器的中央通道。所述适配器可以在所述第二端处限定从第二通道的出口。所述中央通道、所述第二通道、和所述第三通道可以各自在所述适配器内互相流体隔离。
公开/授权文献
- CN108962715A 用于多前体流的半导体处理腔室 公开/授权日：2018-12-07
