Invention Publication
CN103663361A 一种硅基片或陶瓷基片的柔性机械光刻剥离工艺方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 一种硅基片或陶瓷基片的柔性机械光刻剥离工艺方法
- Patent Title (English): Flexible mechanical photoetching stripping process method of silicon substrate or ceramic substrate
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Application No.: CN201310743385.6Application Date: 2013-12-30
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Publication No.: CN103663361APublication Date: 2014-03-26
- Inventor: 赵文杰 , 胡军 , 周真 , 施云波 , 罗毅
- Applicant: 哈尔滨理工大学
- Applicant Address: 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号
- Assignee: 哈尔滨理工大学
- Current Assignee: 哈尔滨理工大学
- Current Assignee Address: 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号
- Agency: 哈尔滨市松花江专利商标事务所
- Agent 岳泉清
- Main IPC: B81C1/00
- IPC: B81C1/00 ; G03F7/00

Abstract:
一种硅基片或陶瓷基片的柔性机械光刻剥离工艺方法,涉及一种在微机械加工中柔性机械光刻剥离工艺制造方法,解决了现有采用反转胶光刻剥离工艺法在硅基片或陶瓷衬底基片进行铂膜光刻剥离,存在污染大、工艺程序复杂,机械性能较差的缺点。本发明采用氮化铝陶瓷基片或硅基片为衬底在超声波的作用下分别在丙酮溶液中和酒精溶液中进行清洗然后均匀涂胶,以制备器件图案的反图形掩模版为制版图形再进行曝光、显影、镀膜,然后在微超声清洗光刻胶,直至光刻胶完全溶解,采用柔性的双向拉伸聚丙烯压敏胶粘带附着在溶解光刻胶后的基片上,施加外力,最后退火处理,实现对陶瓷基片或硅基片的柔性机械光刻剥离。本发明适用于硅基片或陶瓷基片的光刻剥离。
Public/Granted literature
- CN103663361B 一种硅基片或陶瓷基片的柔性机械光刻剥离工艺方法 Public/Granted day:2016-03-23
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