发明授权
- 专利标题: 具有异质栅介质的隧穿晶体管及其形成方法
- 专利标题(英): Tunneling transistor with hetero-material grid dielectrics and forming method of tunneling transistor
-
申请号: CN201210067625.0申请日: 2012-03-14
-
公开(公告)号: CN102610647B公开(公告)日: 2015-04-15
- 发明人: 崔宁 , 梁仁荣 , 王敬 , 许军
- 申请人: 清华大学
- 申请人地址: 北京市海淀区100084-82信箱
- 专利权人: 清华大学
- 当前专利权人: 清华大学
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区100084-82信箱
- 代理机构: 北京清亦华知识产权代理事务所
- 代理商 张大威
- 主分类号: H01L29/78
- IPC分类号: H01L29/78 ; H01L29/51 ; H01L21/336
摘要:
本发明提供一种具有异质栅介质的隧穿晶体管及其形成方法,该隧穿晶体管包括:衬底;形成在所述衬底中的沟道区;形成在所述衬底中、所述沟道区两侧的源区和漏区,所述源区为第一类型重掺杂所述漏区为第二类型重掺杂;和形成在所述衬底上的栅堆叠,所述栅堆叠包括位于所述沟道区上的栅介质层和位于所述栅介质层上的栅极,所述栅介质层包括靠近所述源区的第一段栅介质和靠近所述漏区的第二段栅介质,所述第一段栅介质和第二段栅介质的材料不同。其中,靠近源区的第一段栅介质通过对沟道区引入局部应力,改变隧穿有效质量,增大隧穿电流;靠近漏区的第二段栅介质通过对沟道区引入局部应力,提高电子迁移率。
公开/授权文献
- CN102610647A 具有异质栅介质的隧穿晶体管及其形成方法 公开/授权日:2012-07-25
IPC分类: