公开(公告)号：US08368165B2

公开(公告)日：2013-02-05

申请号：US11581536

申请日：2006-10-16

申请人： Giovanni Richieri

发明人： Giovanni Richieri

IPC分类号： H01L29/47

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/47 ,  H01L2224/05

摘要： A SiC Schottky diode which includes a Schottky barrier formed on a silicon face 4H—SiC body.

摘要翻译： 一种SiC肖特基二极管，其包括形成在硅表面4H-SiC体上的肖特基势垒。

公开(公告)号：US20090218617A1

公开(公告)日：2009-09-03

申请号：US12372639

申请日：2009-02-17

申请人： Daniel M. Kinzer

发明人： Daniel M. Kinzer

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368

摘要： A superjunction power semiconductor device which includes spaced drift regions each extending from the bottom of a respective gate trench to the substrate of the device.

摘要翻译： 一种超结功率半导体器件，其包括各自从相应的栅极沟槽的底部延伸到器件的衬底的漂移区域。

公开(公告)号：US08921969B2

公开(公告)日：2014-12-30

申请号：US11582755

申请日：2006-10-18

申请人： Slawomir Skocki

发明人： Slawomir Skocki

IPC分类号： H01L27/095 ,  H01L29/417 ,  H01L29/872 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L24/02 ,  H01L24/72 ,  H01L29/417 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

摘要： A chip-scale schottky package which has at least one cathode electrode and at least one anode electrode disposed on only one major surface of a die, and solder bumps connected to the electrode for surface mounting of the package on a circuit board.

摘要翻译： 一种芯片级肖特基封装，其具有至少一个阴极电极和至少一个设置在管芯的一个主表面上的阳极电极，以及连接到电极的焊料凸块，用于在电路板上表面安装封装。

公开(公告)号：US08895424B2

公开(公告)日：2014-11-25

申请号：US12831098

申请日：2010-07-06

申请人： Rossano Carta ,  Carmelo Sanfilippo

发明人： Rossano Carta ,  Carmelo Sanfilippo

IPC分类号： H01L29/47 ,  H01L29/66 ,  H01L29/872

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66143

摘要： A process for forming a Schottky barrier to silicon to a barrier height selected at a value between 640 meV and 840 meV employs the deposition of a platinum or nickel film atop the silicon surface followed by the deposition of the other of a platinum or nickel film atop the first film. The two films are then exposed to anneal steps at suitable temperatures to cause their interdiffusion and an ultimate formation of Ni2Si and Pt2Si contacts to the silicon surface. The final silicide has a barrier height between that of the Pt and Ni, and will depend on the initial thicknesses of the Pt and Ni films and annealing temperature and time. Oxygen is injected into the system to form an SiO2 passivation layer to improve the self aligned process.

摘要翻译： 将硅肖特基势垒形成至640meV至840meV之间的阻挡层高度的工艺是在硅表面上沉积铂或镍膜，然后将铂或镍膜中的另一个沉积在顶部 第一部电影 然后将这两个膜在合适的温度下暴露于退火步骤，以引起它们的相互扩散，并最终形成Ni2Si和Pt2Si与硅表面的接触。 最终的硅化物具有在Pt和Ni之间的势垒高度，并且将取决于Pt和Ni膜的初始厚度以及退火温度和时间。 将氧气注入系统以形成SiO 2钝化层以改善自对准过程。

公开(公告)号：US08274128B2

公开(公告)日：2012-09-25

申请号：US12054291

申请日：2008-03-24

申请人： Andrea Irace ,  Giovanni Breglio ,  Paolo Spirito ,  Andrea Bricconi ,  Diego Raffo ,  Luigi Merlin

发明人： Andrea Irace ,  Giovanni Breglio ,  Paolo Spirito ,  Andrea Bricconi ,  Diego Raffo ,  Luigi Merlin

IPC分类号： H01L29/47

CPC分类号： H01L29/66007 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/872

摘要： A semiconductor device in one embodiment includes a depletion junction, a peripheral region adjacent the depletion junction, and a buffer layer. The buffer layer is adapted to reduce localization of avalanche breakdown proximate the interface between the depletion junction and the peripheral region.

摘要翻译： 一个实施例中的半导体器件包括耗尽结，与耗尽结邻近的外围区和缓冲层。 缓冲层适于减少靠近耗尽结和周边区域之间的界面处的雪崩击穿的定位。

公开(公告)号：US07659588B2

公开(公告)日：2010-02-09

申请号：US11698373

申请日：2007-01-26

申请人： Ali Husain ,  Srikant Sridevan

发明人： Ali Husain ,  Srikant Sridevan

IPC分类号： H01L29/72

CPC分类号： H01L29/0634 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696

摘要： A superjunction device that includes a termination region having a transition region adjacent the active region thereof, the transition region including a plurality of spaced columns.

摘要翻译： 一种超结装置，其包括具有与其有源区相邻的过渡区的端接区，所述过渡区包括多个间隔的列。

公开(公告)号：US09865749B1

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：US12962563

申请日：2010-12-07

申请人： Davide Chiola ,  Kohji Andoh ,  Silvestro Fimiani

发明人： Davide Chiola ,  Kohji Andoh ,  Silvestro Fimiani

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/872 ,  H01L29/868 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L27/0814 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/868

摘要： A Merged P-i-N Schottky device in which the oppositely doped diffusions extend to a depth and have been spaced apart such that the device is capable of absorbing a reverse avalanche energy comparable to a Fast Recovery Epitaxial Diode having a comparatively deeper oppositely doped diffusion region.

公开(公告)号：US09478441B1

公开(公告)日：2016-10-25

申请号：US12849782

申请日：2010-08-03

申请人： Srikant Sridevan

发明人： Srikant Sridevan

IPC分类号： H01L21/425 ,  H01L21/38

CPC分类号： H01L21/38 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7802 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An improved superjunction semiconductor device includes a charged balanced pylon in a body region, where a top of the pylon is large to create slight charge imbalance. A MOSgated structure is formed over the top of the pylon and designed to conduct current through the pylon. By increasing a dimension of the top of the pylon, the resulting device is less susceptible to variations in manufacturing tolerances to obtain a good breakdown voltage and improved device ruggedness.

摘要翻译： 改进的超结半导体器件包括在体区中的带电平衡塔，其中塔的顶部较大以产生轻微的电荷不平衡。 在塔架的顶部形成一个MOS结构，设计用于通过塔架传导电流。 通过增加塔的顶部的尺寸，所得到的装置不太容易受到制造公差的变化的影响，以获得良好的击穿电压和改进的装置坚固性。

公开(公告)号：US08685849B2

公开(公告)日：2014-04-01

申请号：US13626762

申请日：2012-09-25

申请人： Siliconix Technology C.V.IR

发明人： Andrea Irace ,  Giovanni Breglio ,  Paolo Spirito ,  Andrea Bricconi ,  Diego Raffo ,  Luigi Merlin

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L29/66007 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/872

摘要： A semiconductor device in one embodiment includes a depletion junction, a peripheral region adjacent the depletion junction, and a buffer layer. The buffer layer is adapted to reduce localization of avalanche breakdown proximate the interface between the depletion junction and the peripheral region.

摘要翻译： 一个实施例中的半导体器件包括耗尽结，与耗尽结邻近的外围区和缓冲层。 缓冲层适于减少靠近耗尽结和周边区域之间的界面处的雪崩击穿的定位。

公开(公告)号：US07858456B2

公开(公告)日：2010-12-28

申请号：US11402039

申请日：2006-04-11

申请人： Davide Chiola ,  Kohji Andoh ,  Silvestro Fimiani

发明人： Davide Chiola ,  Kohji Andoh ,  Silvestro Fimiani

IPC分类号： H01L21/338

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L27/0814 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/868

摘要： Merged P-i-N Schottky device in which the oppositely doped diffusions extend to a depth and have been spaced apart such that the device is capable of absorbing a reverse avalanche energy comparable to a Fast Recovery Epitaxial Diode having a comparatively deeper oppositely doped diffusion region.

摘要翻译： 合并的P-i-N肖特基器件，其中相反掺杂的扩散延伸到深度并且已经间隔开，使得该器件能够吸收与具有相对更深的相反掺杂扩散区域的快速恢复外延二极管相当的反向雪崩能量。