公开(公告)号：US20090191703A1

公开(公告)日：2009-07-30

申请号：US12021844

申请日：2008-01-29

申请人： Xinliang Lu ,  Haichun Yang ,  Zhenbin Ge ,  Chien-Teh Kao ,  Mei Chang

发明人： Xinliang Lu ,  Haichun Yang ,  Zhenbin Ge ,  Chien-Teh Kao ,  Mei Chang

IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/76814 ,  H01L29/665 ,  H01L29/78

摘要： A method for removing oxides from the bottom surface of a contact hole is provided. The method provides efficient cleaning of the bottom surface without distortion of the contact hole upper and sidewall surfaces.

摘要翻译： 提供了从接触孔的底面除去氧化物的方法。 该方法提供对底面的有效清洁，而不会使接触孔上侧壁和侧壁表面变形。

公开(公告)号：US08252696B2

公开(公告)日：2012-08-28

申请号：US12247059

申请日：2008-10-07

申请人： Xinliang Lu ,  Haichun Yang ,  Zhenbin Ge ,  Nan Lu ,  David T. Or ,  Chien-Teh Kao ,  Mei Chang

发明人： Xinliang Lu ,  Haichun Yang ,  Zhenbin Ge ,  Nan Lu ,  David T. Or ,  Chien-Teh Kao ,  Mei Chang

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/31116

摘要： Methods for etching dielectric layers comprising silicon and nitrogen are provided herein. In some embodiments, such methods may include providing a substrate having a dielectric layer comprising silicon and nitrogen disposed thereon, forming reactive species from a process gas comprising hydrogen (H2) and nitrogen trifluoride (NF3) using a remote plasma; and etching the dielectric layer using the reactive species. In some embodiments, an oxide layer is disposed adjacent to the dielectric layer. In some embodiments, the flow rate ratio of the process gas can be adjusted such that an etch selectivity of the dielectric layer to at least one of the oxide layer or the substrate is between about 0.8 to about 4.

摘要翻译： 本文提供了用于蚀刻包含硅和氮的电介质层的方法。 在一些实施例中，这样的方法可以包括提供具有介于其上的硅和氮的电介质层的衬底，使用远程等离子体从包括氢（H 2）和三氟化氮（NF 3）的工艺气体形成反应物种; 并使用反应性物质蚀刻介电层。 在一些实施例中，氧化物层邻近电介质层设置。 在一些实施方案中，可以调节处理气体的流速比，使得介电层与氧化物层或基底中的至少一个的蚀刻选择性在约0.8至约4之间。

公开(公告)号：US20100099263A1

公开(公告)日：2010-04-22

申请号：US12254716

申请日：2008-10-20

申请人： Chien-Teh Kao ,  Xinliang Lu ,  Haichun Yang ,  Zhenbin Ge ,  David T. Or ,  Mei Chang

发明人： Chien-Teh Kao ,  Xinliang Lu ,  Haichun Yang ,  Zhenbin Ge ,  David T. Or ,  Mei Chang

IPC分类号： H01L21/34 ,  H01L21/465 ,  H01L21/428

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109

摘要： A method and apparatus for selectively etching doped semiconductor oxides faster than undoped oxides. The method comprises applying dissociative energy to a mixture of nitrogen trifluoride and hydrogen gas remotely, flowing the activated gas toward a processing chamber to allow time for charged species to be extinguished, and applying the activated gas to the substrate. Reducing the ratio of hydrogen to nitrogen trifluoride increases etch selectivity. A similar process may be used to smooth surface defects in a silicon surface.

摘要翻译： 一种用于比未掺杂氧化物更快地选择性地蚀刻掺杂半导体氧化物的方法和装置。 所述方法包括将离解能量远离将三氯化氢和氢气的混合物应用，将活化气体向处理室流动，以使带电物质的时间消失，并将活性气体施加到基底上。 降低氢气与三氟化氮的比例提高了蚀刻选择性。 可以使用类似的工艺来平滑硅表面中的表面缺陷。

公开(公告)号：US07939422B2

公开(公告)日：2011-05-10

申请号：US11947674

申请日：2007-11-29

申请人： Nitin K. Ingle ,  Jing Tang ,  Yi Zheng ,  Zheng Yuan ,  Zhenbin Ge ,  Xinliang Lu ,  Chien-Teh Kao ,  Vikash Banthia ,  William H. McClintock ,  Mei Chang

发明人： Nitin K. Ingle ,  Jing Tang ,  Yi Zheng ,  Zheng Yuan ,  Zhenbin Ge ,  Xinliang Lu ,  Chien-Teh Kao ,  Vikash Banthia ,  William H. McClintock ,  Mei Chang

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L21/67253 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76232

摘要： A method for forming a semiconductor structure includes forming a plurality of features across a surface of a substrate, with at least one space being between two adjacent features. A first dielectric layer is formed on the features and within the at least one space. A portion of the first dielectric layer interacts with a reactant derived from a first precursor and a second precursor to form a first solid product. The first solid product is decomposed to substantially remove the portion of the first dielectric layer. A second dielectric layer is formed to substantially fill the at least one space.

摘要翻译： 一种用于形成半导体结构的方法包括跨越衬底的表面形成多个特征，其中至少一个空间位于两个相邻特征之间。 第一电介质层形成在特征上并且在至少一个空间内。 第一介电层的一部分与衍生自第一前体和第二前体的反应物相互作用以形成第一固体产物。 第一固体产物被分解以基本上除去第一介电层的部分。 形成第二电介质层以基本上填充至少一个空间。

公开(公告)号：US08043933B2

公开(公告)日：2011-10-25

申请号：US12620806

申请日：2009-11-18

申请人： Chien-Teh Kao ,  Xinliang Lu ,  Zhenbin Ge ,  Mei Chang ,  Hoiman Raymond Hung ,  Nitin Ingle

发明人： Chien-Teh Kao ,  Xinliang Lu ,  Zhenbin Ge ,  Mei Chang ,  Hoiman Raymond Hung ,  Nitin Ingle

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L21/76232 ,  H01L21/67219 ,  H01L27/11521

摘要： Embodiments of the present invention generally relates to an apparatus and a method for processing semiconductor substrates. Particularly, embodiments of the present invention relates to apparatus and methods for forming shallow trench isolations having recesses with rounded bottoms. One embodiment of the present invention comprises forming a recess in a filled trench structure by removing a portion of a material from the filled trench structure and rounding bottom corners of the recess. Rounding bottom corners is performed by depositing a conformal layer of the same material filled in the trench structure over the substrate and removing the conformal layer of the material from sidewalls of the recess.

摘要翻译： 本发明的实施例一般涉及用于处理半导体衬底的装置和方法。 特别地，本发明的实施例涉及用于形成具有具有圆形底部的凹部的浅沟槽隔离的装置和方法。 本发明的一个实施例包括通过从填充的沟槽结构中去除一部分材料并且使凹部的圆角底部倒圆，在填充的沟槽结构中形成凹陷。 通过将填充在沟槽结构中的相同材料的共形层沉积在衬底上并且从凹部的侧壁去除材料的共形层来进行圆角底角。

公开(公告)号：US07994002B2

公开(公告)日：2011-08-09

申请号：US12620799

申请日：2009-11-18

申请人： Mei Chang ,  Chien-Teh Kao ,  Xinliang Lu ,  Zhenbin Ge

发明人： Mei Chang ,  Chien-Teh Kao ,  Xinliang Lu ,  Zhenbin Ge

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01J37/3244 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76877 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683 ,  H01L2221/1063

摘要： Embodiments of the present invention generally relates to an apparatus and a method for processing semiconductor substrates. Particularly, embodiments of the present invention relates to methods and apparatus for trench and via profile modification prior to filling the trench and via. One embodiment of the present invention comprises forming a sacrifice layer to pinch off a top opening of a trench structure by exposing the trench structure to an etchant. In one embodiment, the etchant is configured to remove the first material by reacting with the first material and generating a by-product, which forms the sacrifice layer.

摘要翻译： 本发明的实施例一般涉及用于处理半导体衬底的装置和方法。 特别地，本发明的实施例涉及在填充沟槽和通孔之前进行沟槽和通孔轮廓修改的方法和装置。 本发明的一个实施例包括通过将沟槽结构暴露于蚀刻剂来形成牺牲层以压缩沟槽结构的顶部开口。 在一个实施方案中，蚀刻剂被配置为通过与第一材料反应并产生形成牺牲层的副产物来除去第一材料。

公开(公告)号：US20100129982A1

公开(公告)日：2010-05-27

申请号：US12620806

申请日：2009-11-18

申请人： Chien-Teh Kao ,  Xinliang Lu ,  Zhenbin Ge ,  Mei Chang ,  Hoiman Raymond Hung ,  Nitin Ingle

发明人： Chien-Teh Kao ,  Xinliang Lu ,  Zhenbin Ge ,  Mei Chang ,  Hoiman Raymond Hung ,  Nitin Ingle

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76232 ,  H01L21/67219 ,  H01L27/11521

摘要： Embodiments of the present invention generally relates to an apparatus and a method for processing semiconductor substrates. Particularly, embodiments of the present invention relates to apparatus and methods for forming shallow trench isolations having recesses with rounded bottoms. One embodiment of the present invention comprises forming a recess in a filled trench structure by removing a portion of a material from the filled trench structure and rounding bottom corners of the recess. Rounding bottom corners is performed by depositing a conformal layer of the same material filled in the trench structure over the substrate and removing the conformal layer of the material from sidewalls of the recess.

摘要翻译： 本发明的实施例一般涉及用于处理半导体衬底的装置和方法。 特别地，本发明的实施例涉及用于形成具有具有圆形底部的凹部的浅沟槽隔离的装置和方法。 本发明的一个实施例包括通过从填充的沟槽结构中去除一部分材料并且使凹部的圆角底部倒圆，在填充的沟槽结构中形成凹陷。 通过将填充在沟槽结构中的相同材料的共形层沉积在衬底上并且从凹部的侧壁去除材料的共形层来进行圆角底角。

公开(公告)号：US08268684B2

公开(公告)日：2012-09-18

申请号：US13205379

申请日：2011-08-08

申请人： Mei Chang ,  Chien-Teh Kao ,  Xinliang Lu ,  Zhenbin Ge

发明人： Mei Chang ,  Chien-Teh Kao ,  Xinliang Lu ,  Zhenbin Ge

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01J37/3244 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76877 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683 ,  H01L2221/1063

摘要： Embodiments of the present invention generally relates to an apparatus and a method for processing semiconductor substrates. Particularly, embodiments of the present invention relates to methods and apparatus for profile modification prior to filling a structure, such as a trench or a via. One embodiment of the present invention comprises forming a sacrifice layer to pinch off a top opening of a structure by exposing the structure to an etchant. In one embodiment, the etchant is configured to remove the first material by reacting with the first material and generating a by-product, which forms the sacrifice layer.

摘要翻译： 本发明的实施例一般涉及用于处理半导体衬底的装置和方法。 特别地，本发明的实施例涉及用于在填充诸如沟槽或通孔之类的结构之前的轮廓修改的方法和装置。 本发明的一个实施例包括通过将结构暴露于蚀刻剂来形成牺牲层以夹住结构的顶部开口。 在一个实施方案中，蚀刻剂被配置为通过与第一材料反应并产生形成牺牲层的副产物来除去第一材料。

公开(公告)号：US20110151676A1

公开(公告)日：2011-06-23

申请号：US13039724

申请日：2011-03-03

申请人： Nitin K. Ingle ,  Jing Tang ,  Yi Zheng ,  Zheng Yuan ,  Zhenbin Ge ,  Xinliang Lu ,  Chien-Teh Kao ,  Vikash Banthia ,  William H. McClintock ,  Mei Chang

发明人： Nitin K. Ingle ,  Jing Tang ,  Yi Zheng ,  Zheng Yuan ,  Zhenbin Ge ,  Xinliang Lu ,  Chien-Teh Kao ,  Vikash Banthia ,  William H. McClintock ,  Mei Chang

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/67253 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76232

摘要： A method for forming a semiconductor structure includes forming a plurality of features across a surface of a substrate, with at least one space being between two adjacent features. A first dielectric layer is formed on the features and within the at least one space. A portion of the first dielectric layer interacts with a reactant derived from a first precursor and a second precursor to form a first solid product. The first solid product is decomposed to substantially remove the portion of the first dielectric layer. A second dielectric layer is formed to substantially fill the at least one space.

摘要翻译： 一种用于形成半导体结构的方法包括跨越衬底的表面形成多个特征，其中至少一个空间位于两个相邻特征之间。 第一电介质层形成在特征上并且在至少一个空间内。 第一介电层的一部分与衍生自第一前体和第二前体的反应物相互作用以形成第一固体产物。 第一固体产物被分解以基本上除去第一介电层的部分。 形成第二电介质层以基本上填充至少一个空间。

公开(公告)号：US20100129958A1

公开(公告)日：2010-05-27

申请号：US12620799

申请日：2009-11-18

申请人： Mei Chang ,  Chien-Teh Kao ,  Xinliang Lu ,  Zhenbin Ge

发明人： Mei Chang ,  Chien-Teh Kao ,  Xinliang Lu ,  Zhenbin Ge

IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01J37/3244 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76877 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683 ,  H01L2221/1063

摘要： Embodiments of the present invention generally relates to an apparatus and a method for processing semiconductor substrates. Particularly, embodiments of the present invention relates to methods and apparatus for trench and via profile modification prior to filling the trench and via. One embodiment of the present invention comprises forming a sacrifice layer to pinch off a top opening of a trench structure by exposing the trench structure to an etchant. In one embodiment, the etchant is configured to remove the first material by reacting with the first material and generating a by-product, which forms the sacrifice layer.

摘要翻译： 本发明的实施例一般涉及用于处理半导体衬底的装置和方法。 特别地，本发明的实施例涉及在填充沟槽和通孔之前进行沟槽和通孔轮廓修改的方法和装置。 本发明的一个实施例包括通过将沟槽结构暴露于蚀刻剂来形成牺牲层以压缩沟槽结构的顶部开口。 在一个实施方案中，蚀刻剂被配置为通过与第一材料反应并产生形成牺牲层的副产物来除去第一材料。